Semiconductor system having a ring laser fabricated by epitaxial layer overgrowth

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	Semiconductor system having a ring laser fabricated by epitaxial layer overgrowth
其他题名	Semiconductor system having a ring laser fabricated by epitaxial layer overgrowth
	TAN, MICHAEL R. T.; CORZINE, SCOTT W.; BOUR, DAVID P.
	2009-03-10
专利权人	AVAGO TECHNOLOGIES GENERAL IP (SINGAPORE) PTE. LTD.
公开日期	2009-03-10
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	The present invention provides a ring laser system comprising forming an optical core by an epitaxial layer overgrowth over an intermediate layer, forming multi-quantum wells adjacent to the optical core and forming an outer structure further comprising a total internal reflector, wherein forming photons within the multi-quantum wells further comprises circulating the photons within the ring laser structure comprising the outer structure, the multi-quantum wells, and the optical core.
其他摘要	本发明提供一种环形激光系统，包括通过中间层上的外延层过度生长形成光学纤芯，形成与光学纤芯相邻的多量子阱，并形成外部结构，该外部结构还包括全内反射器，其中在内部形成光子。多量子阱还包括在包括外部结构，多量子阱和光学核心的环形激光器结构内循环光子。
授权日期	2009-03-10
申请日期	2005-08-22
专利号	US7502405
专利状态	失效
申请号	US11/209994
公开（公告）号	US7502405
IPC 分类号	H01S3/083 \| H01L21/00 \| H01S5/00
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42352
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	AVAGO TECHNOLOGIES GENERAL IP (SINGAPORE) PTE. LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	TAN, MICHAEL R. T.,CORZINE, SCOTT W.,BOUR, DAVID P.. Semiconductor system having a ring laser fabricated by epitaxial layer overgrowth. US7502405[P]. 2009-03-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7502405.PDF（508KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文