Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Halfgeleiderlaser. | |
| 其他题名 | Halfgeleiderlaser. |
| HIROAKI FUJII | |
| 2001-12-12 | |
| 专利权人 | NEC ELECTRONICS CORPORATION |
| 公开日期 | 2001-12-12 |
| 授权国家 | 荷兰 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | The object of the present invention is to realize a transparent waveguide path AlGaInP laser which is capable of a low threshold current and a high light output efficiency without deterioration in characteristic due to crystal distortion. The semiconductor laser comprises an active layer formed on a GaAs substrate, upper and lower clad layers containing the active layer therebetween a current block layer which transmits oscillation light and has a stripe-shaped opening is formed on the upper clad layer, an etching stopper layer formed between the upper clad layer and the current block layer and on the upper clad layer exposed in a stripe shape by the opening section of the current block layer, the etching stopper layer containing no aluminium; and a clad layer formed on the current block layer and on the etching stopper layer exposed in a stripe shape by the opening section of the current block layer, wherein the upper clad layer is formed of a semiconductor containing AlGaInP or AlInP. |
| 其他摘要 | 本发明的目的是实现一种透明波导路径AlGaInP激光器，其能够具有低阈值电流和高光输出效率，而不会由于晶体畸变而劣化特性。半导体激光器包括形成在GaAs衬底上的有源层，在其间包含有源层的上和下包层，在上包层上形成透射振荡光并具有条形开口的电流阻挡层，蚀刻停止层通过电流阻挡层的开口部分形成在上包层和电流阻挡层之间以及在条形上暴露的上包层上，蚀刻停止层不含铝;形成在电流阻挡层上和通过电流阻挡层的开口部分以条形暴露的蚀刻停止层上形成的包层，其中上包层由包含AlGaInP或AlInP的半导体形成。 |
| 授权日期 | 2001-12-12 |
| 申请日期 | 1997-01-14 |
| 专利号 | NL1004998C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | NL1004998 |
| 公开（公告）号 | NL1004998C |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/065 | H01S5/20 | H01S5/22 | H01S5/223 | H01S5/32 | H01S5/323 | H01L33/00 | H01S3/19 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | IR. H.V. MERTENS C.S. |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42213 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC ELECTRONICS CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HIROAKI FUJII. Halfgeleiderlaser.. NL1004998C[P]. 2001-12-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| NL1004998C.PDF（943KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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