Semiconductor laser device and manufacturing method therefor

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	Semiconductor laser device and manufacturing method therefor
其他题名	Semiconductor laser device and manufacturing method therefor
	KINEI, SATOFUMI; HASHIMOTO, TAKAHIRO
	2005-03-08
专利权人	SHARP KABUSHIKI KAISHA
公开日期	2005-03-08
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	There is provided a semiconductor laser device which is generally uniform in carrier concentration of a clad layer, almost free from strain, and less demanding for time and labor in its manufacturing, and which has stable characteristics. On an n-GaAs substrate, an n-type clad layer, an active layer, a p-type clad layer, and a cap layer are stacked one on another at a temperature of 700-750° C. Widthwise both side portions of the cap layer as well as widthwise both side specified-depth portions of the p-type clad layer are removed by etching to form a ridge portion, and a current constriction layer is formed on widthwise both sides of the ridge portion. A flattening layer having a planar surface is formed on the current constriction layer and the cap layer by slow cooling LPE process at a temperature of 700° C. or lower. On the flattening layer, a contact layer is formed by MOCVD process at a temperature of about 650° C.
其他摘要	本发明提供一种半导体激光装置，其包层的载流子浓度通常均匀，几乎没有应变，制造时的时间和劳动力要求不高，并且具有稳定的特性。在n-GaAs衬底上，n型覆层，有源层，p型覆层和覆盖层在700-750℃的温度下彼此堆叠。宽度方向的两侧部分通过蚀刻去除p层覆盖层的盖层以及宽度方向的两侧特定深度部分以形成脊部，并且在脊部的宽度方向两侧形成电流限制层。通过在700℃或更低的温度下缓慢冷却LPE工艺，在电流限制层和盖层上形成具有平坦表面的平坦化层。在平坦化层上，通过MOCVD工艺在约650℃的温度下形成接触层。
授权日期	2005-03-08
申请日期	2002-07-02
专利号	US6865206
专利状态	失效
申请号	US10/187445
公开（公告）号	US6865206
IPC 分类号	H01S5/223 \| H01S5/00 \| H01S5/32 \| H01S5/042 \| H01L21/205 \| H01L21/208
专利代理人	-
代理机构	MORRISON & FOERSTER LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42200
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SHARP KABUSHIKI KAISHA
推荐引用方式 GB/T 7714	KINEI, SATOFUMI,HASHIMOTO, TAKAHIRO. Semiconductor laser device and manufacturing method therefor. US6865206[P]. 2005-03-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US6865206.PDF（176KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文