半導体レ-ザ装置及びその製造方法

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	半導体レ-ザ装置及びその製造方法
其他题名	半導体レ-ザ装置及びその製造方法
	石川正行
	1995-04-12
专利权人	株式会社東芝
公开日期	1995-04-12
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To prepare a semiconductor laser device having high reliability, holding high productivity and reproducibility by forming a current constriction layer consisting of InGaAlP through a contact layer composed of GaAs, InGaP, etc. CONSTITUTION:An n-GaAs buffer layer 12 is shaped onto an n-GaAs substrate 1 A double hetero-junction structure section made up of an n-InGaAlP clad layer 13, an InGaP active layer 14 and a p-InGaAlP clad layer 15 is formed onto the buffer layer 12. A p-InGaP contact layer 16 and a p-GaAs contact layer 17 are shaped onto the clad layer 15. An InGaAlP current constriction layer 18 in which an opening section is formed to a section as a current path is shaped onto the contact layer 17. A p side electrode 19 is formed onto the current constriction layer 18 and the contact layer 17 exposed in the opening section, and an n side electrode 20 is shaped under the substrate 1 Currents can be constricted excellently by the current constriction layer 18, and a light- emitting region in the active region 14 is specified to a striped shape, thus allowing laser oscillation.
其他摘要	目的：通过由GaAs，InGaP等构成的接触层形成由InGaAlP构成的电流收缩层，制备具有高可靠性，保持高生产率和再现性的半导体激光器件。构成：n-GaAs缓冲层12成形为n-GaAs衬底1在缓冲层12上形成由n-InGaAlP包层13，InGaP有源层14和p-InGaAlP包层15构成的双异质结结构部分.p-InGaP接触层16和p-GaAs接触层17成形在包层15上。在接触层17上形成InGaAlP电流限制层18，其中开口部分形成为作为电流路径的部分.P侧电极19形成在电流收缩层18和暴露在开口部分中的接触层17上，并且n侧电极20成形在基板11下面。电流可以通过电流收缩层18极好地收缩，并且电流有源区14中的发光区域被指定为条纹形状，从而允许激光振荡。
授权日期	1995-04-12
申请日期	1986-12-26
专利号	JP1995034493B2
专利状态	失效
申请号	JP1986308600
公开（公告）号	JP1995034493B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	鈴江武彦 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42097
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社東芝
推荐引用方式 GB/T 7714	石川正行. 半導体レ-ザ装置及びその製造方法. JP1995034493B2[P]. 1995-04-12.

条目包含的文件
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JP1995034493B2.PDF（22KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文