Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Coupled laser diode arrangement | |
| 其他题名 | Coupled laser diode arrangement |
| HEINEN, JOCHEN; AMANN, MARKUS-CHRISTIAN | |
| 1988-05-03 | |
| 专利权人 | SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT, A CORP. OF GERMANY |
| 公开日期 | 1988-05-03 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | An arrangement of two coupled laser diodes comprises first and second two-layer structures, each structure having a strip-shaped laser-active zone, and a middle layer. The first and second two-layer structures are symmetrically constructed relative to the middle layer at opposite sides thereof and directly across from each other so that the strip-shaped laser-active zones in each of the two-layer structures are positioned at a defined spacing directly across from each other and in symmetrical manner with respect to the middle layer. The middle layer is epitaxially deposited with a precisely dimensioned thickness relative to the two coupled laser diodes being employed. |
| 其他摘要 | 两个耦合的激光二极管的布置包括第一和第二双层结构，每个结构具有条形激光活性区和中间层。第一和第二双层结构相对于中间层在其相对侧对称地构造并且彼此直接相对，使得每个双层结构中的条形激光活性区域以限定的间隔定位。彼此直接相对并且相对于中间层以对称方式相对。相对于所采用的两个耦合的激光二极管，中间层以精确尺寸的厚度外延沉积。 |
| 授权日期 | 1988-05-03 |
| 申请日期 | 1985-09-06 |
| 专利号 | US4742525 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | US06/773018 |
| 公开（公告）号 | US4742525 |
| IPC 分类号 | H01S5/40 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | HILL,VAN SANTEN,STEADMAN & SIMPSON |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42028 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT, A CORP. OF GERMANY |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HEINEN, JOCHEN,AMANN, MARKUS-CHRISTIAN. Coupled laser diode arrangement. US4742525[P]. 1988-05-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US4742525.PDF（61KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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