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Distributed bragg reflector type directly modulated laser and distributed feed back type directly modulated laser
其他题名Distributed bragg reflector type directly modulated laser and distributed feed back type directly modulated laser
AOKI, MASAHIRO
2010-07-20
专利权人LUMENTUM JAPAN, INC.
公开日期2010-07-20
授权国家美国
专利类型授权发明
摘要The invention aims at realizing a 1300-nm-band direct modulation laser, having a single lateral mode, in which a chip light power of several milliwatts and a low current operation are simultaneously realized. Also, the invention aims at realizing a laser light source excellent in economy as well by realizing output characteristics of a vertical cavity surface light emitting laser. A distributed Bragg reflector laser is constructed in the form of a semiconductor laser having a multilayer structure formed on a predetermined semiconductor substrate. The multilayer structure includes an active region for emitting a laser beam, and a distributed Bragg reflector layer. A length of the active region falls within the range of 10 to 100 μm, and a laser light beam is generated in accordance with ON/OFF of current injection to the active region.
其他摘要本发明旨在实现具有单横模的1300nm波段直接调制激光器,其中同时实现几毫瓦的芯片光功率和低电流操作。另外,本发明的目的在于通过实现垂直腔面发光激光器的输出特性来实现经济性优异的激光光源。分布式布拉格反射器激光器以半导体激光器的形式构造,该半导体激光器具有形成在预定半导体衬底上的多层结构。多层结构包括用于发射激光束的有源区和分布式布拉格反射器层。有源区的长度落在10至100μm的范围内,并且根据电流注入到有源区的ON / OFF产生激光束。
授权日期2010-07-20
申请日期2006-06-23
专利号US7760782
专利状态授权
申请号US11/473011
公开(公告)号US7760782
IPC 分类号H01S5/00
专利代理人-
代理机构ANTONELLI,TERRY,STOUT & KRAUS,LLP.
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42004
专题半导体激光器专利数据库
作者单位LUMENTUM JAPAN, INC.
推荐引用方式
GB/T 7714
AOKI, MASAHIRO. Distributed bragg reflector type directly modulated laser and distributed feed back type directly modulated laser. US7760782[P]. 2010-07-20.
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