MOCVD growth of InGaN quantum well laser structures on a grooved lower waveguiding layer

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	MOCVD growth of InGaN quantum well laser structures on a grooved lower waveguiding layer
其他题名	MOCVD growth of InGaN quantum well laser structures on a grooved lower waveguiding layer
	ROMANO, LINDA T.; HOFSTETTER, DANIEL; PAOLI, THOMAS L.
	2001-09-04
专利权人	XEROX CORPORATION
公开日期	2001-09-04
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	Group III-V nitride semiconductors are used as light emitters for optoelectronic devices. To provide the desired range of bandgaps and band offsets in heterostructure devices, InGaN layers have to be grown. InGaN layers are difficult to grow because poor lattice mismatch between group III-V nitride alloys. Thus, a plurality of gratings or grooves are formed in the group III-V nitride layer in order to relieve strain between the group III-V nitride layer and the active region. The plurality of gratings allows segregation of In in a manner that optimizes the wavelength of light produced.
其他摘要	III-V族氮化物半导体用作光电器件的光发射器。为了在异质结构器件中提供所需范围的带隙和带偏移，必须生长InGaN层。 InGaN层难以生长，因为III-V族氮化物合金之间的晶格失配差。因此，在III-V族氮化物层中形成多个光栅或凹槽，以减轻III-V族氮化物层和有源区之间的应变。多个光栅允许以优化所产生的光的波长的方式偏析In。
授权日期	2001-09-04
申请日期	1998-09-25
专利号	US6285698
专利状态	失效
申请号	US09/160324
公开（公告）号	US6285698
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/00 \| H01S5/12
专利代理人	-
代理机构	OLIFF & BERRIDGE,PLC
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41998
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	XEROX CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	ROMANO, LINDA T.,HOFSTETTER, DANIEL,PAOLI, THOMAS L.. MOCVD growth of InGaN quantum well laser structures on a grooved lower waveguiding layer. US6285698[P]. 2001-09-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US6285698.PDF（692KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文