Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 分布帰還型半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ装置 |
| 高橋 幸司; 厚主 文弘; 種谷 元隆 | |
| 2005-09-02 | |
| 专利权人 | シャープ株式会社 |
| 公开日期 | 2005-11-09 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】高い素子作製歩留り、良好な単一縦モード特性、低電流動作、素子特性の安定を実現する短波長の利得結合分布帰還型半導体レーザを提供する。 【構成】デューティ0.5付近の一次回折格子を有する周期的吸収層を有し、利得結合が十分に生じつつ吸収損失が十分に小さくなるように周期的吸収層の厚さが最適に設定されている。活性層と吸収層との禁制帯幅の差が一定値よりも大きい組み合わせとする。 |
| 其他摘要 | 本发明的一个目的是提供一种短波长增益耦合的分布式反馈半导体激光器，它实现了高器件制造产量，良好的单纵模特性，低电流操作和稳定的器件特性。 最佳地设定周期性吸收层的厚度，使得在充分产生增益耦合的同时充分减小吸收损耗。 。有源层和吸收层之间的禁带宽度的差异的组合大于预定值。 |
| 授权日期 | 2005-09-02 |
| 申请日期 | 1995-03-06 |
| 专利号 | JP3714984B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995045365 |
| 公开（公告）号 | JP3714984B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/12 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 大前 要 | 小池 隆彌 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41995 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高橋 幸司,厚主 文弘,種谷 元隆. 分布帰還型半導体レーザ装置. JP3714984B2[P]. 2005-09-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3714984B2.PDF（154KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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