気相成長方法及び埋め込み構造半導体レーザの製造方法

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	気相成長方法及び埋め込み構造半導体レーザの製造方法
其他题名	気相成長方法及び埋め込み構造半導体レーザの製造方法
	黒田尚孝; 菅生繁男
	1996-12-05
专利权人	日本電気株式会社
公开日期	1997-02-26
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To decrease a leakage current in an electron block layer by a method wherein iron and hydrogen chloride on the upstream side of a reaction tube are made to react with each other in an inert gas atmosphere in a method that a III-V compound semiconductor is epitaxially grown. CONSTITUTION:A group III element 11 and iron 13 are separated from each other in a source region on an upstream side of a growth chamber 10, the element 11 is made to react with hydrogen chloride diluted with hydrogen sent from an inlet tube 12a to form chloride of a group III element, and the iron 13 is made to react with hydrogen chloride diluted with an inert gas sent from a tube 12b to form iron chloride. Furthermore, phosphine (PH3) diluted with hydrogen is sent from a bypass tube 14 to supply a group V element to a growth region where a semiconductor substrate 15 is provided. By this setup, as hydrogen is low in partial pressure, most of introduced hydrogen chloride is conductive to the reaction with the iron 13 to form iron chloride and consequently a reaction efficiency is improved. In result, an n-type low resistive layer is restrained from being formed on a (111) A plane, so that a leakage current can be reduced in a current block layer.
其他摘要	目的：通过一种方法减少在电子阻挡层的漏电流，其中，铁和氯化氢在反应管的上游侧被制成彼此在惰性气体气氛中的方法，其由III-V族化合物半导体的反应是外延种植的。组成：A组III元件11和铁13彼此在一个源极区域分离，在生长室10的上游侧，该元件11被制成与用氢气从入口管12a中送到形成稀释氯化氢反应使用III族元素的氯化物，使铁13与用管12b送来的惰性气体稀释的氯化氢反应，生成氯化铁。此外，用氢稀释的磷化氢（PH3）从旁路管14送出，以将V族元素提供给设置有半导体衬底15的生长区域。通过这种设置，因为氢是在分压较低，大部分的引入氯化氢是导电的以与铁13以形成氯化铁，因此反应效率提高的反应。在结果中，n型低电阻层被形成在（111）A平面约束，使得漏电流可以在电流阻挡层被减小。
授权日期	1996-12-05
申请日期	1988-08-11
专利号	JP2586118B2
专利状态	失效
申请号	JP1988201597
公开（公告）号	JP2586118B2
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01L21/205 \| H01S5/042 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	京本直樹 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41969
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	黒田尚孝,菅生繁男. 気相成長方法及び埋め込み構造半導体レーザの製造方法. JP2586118B2[P]. 1996-12-05.

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JP2586118B2.PDF（24KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文