Structure and method for planar lateral oxidation in active

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	Structure and method for planar lateral oxidation in active
其他题名	Structure and method for planar lateral oxidation in active
	CHUA, CHRISTOPHER L.; FLOYD, PHILIP D.; PAOLI, THOMAS L.; SUN, DECAI
	2004-01-06
专利权人	XEROX CORPORATION
公开日期	2004-01-06
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	An active semiconductor device is made using planar lateral oxidation to define a core region that is surrounded by regions of buried oxidized semiconductor material in. The buried oxidized semiconductor material provides optical waveguiding, and or a defined electrical path.
其他摘要	使用平面横向氧化制造有源半导体器件以限定由埋入的氧化半导体材料区域围绕的核心区域。掩埋的氧化半导体材料提供光学波导和/或限定的电路径。
授权日期	2004-01-06
申请日期	1999-12-27
专利号	US6674090
专利状态	授权
申请号	US09/472754
公开（公告）号	US6674090
IPC 分类号	H01L21/70 \| H01L21/762 \| H01L29/06 \| H01L29/02 \| H01S5/22 \| H01S5/00 \| H01L21/764 \| H01L21/205 \| H01L27/15 \| H01S5/183 \| H01S3/19
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41942
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	XEROX CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	CHUA, CHRISTOPHER L.,FLOYD, PHILIP D.,PAOLI, THOMAS L.,et al. Structure and method for planar lateral oxidation in active. US6674090[P]. 2004-01-06.