Semiconductor laser having optical guide layer doped for decreasing resistance

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Semiconductor laser having optical guide layer doped for decreasing resistance
其他题名	Semiconductor laser having optical guide layer doped for decreasing resistance
	OHGOH, TSUYOSHI
	2007-11-13
专利权人	NICHIA CORPORATION
公开日期	2007-11-13
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	In a semiconductor laser element: a lower cladding layer of a first conductivity type, a quantum-well active layer, an upper cladding layer of a second conductivity type, a contact layer of the second conductivity type, and a first electrode of the second conductivity type are formed in this order above a surface of a semiconductor substrate of the first conductivity type, and a second electrode of the first conductivity type is formed below the lower cladding layer. An optical guide layer is arranged between the quantum-well active layer and one or each of the lower cladding layer and the upper cladding layer. The whole or a portion of the optical guide layer contains a dopant so as to realize a carrier concentration of 3.0×1017 cm−3 or higher.
其他摘要	在半导体激光元件中：第一导电类型的下包层，量子阱有源层，第二导电类型的上包层，第二导电类型的接触层和第二导电类型的第一电极在第一导电类型的半导体衬底的表面上方以此顺序形成类型，并且在下包层下方形成第一导电类型的第二电极。在量子阱有源层与下包层和上包层中的一个或每个之间设置光导层。光导层的全部或一部分含有掺杂剂，以实现3.0×1017cm-3或更高的载流子浓度。
授权日期	2007-11-13
申请日期	2006-03-23
专利号	US7295587
专利状态	授权
申请号	US11/386717
公开（公告）号	US7295587
IPC 分类号	H01S5/00
专利代理人	-
代理机构	SUGHRUE MION PLLC.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41935
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NICHIA CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	OHGOH, TSUYOSHI. Semiconductor laser having optical guide layer doped for decreasing resistance. US7295587[P]. 2007-11-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7295587.PDF（835KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文