Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物半導体発光素子; 窒化物半導体発光素子; 窒化物半導体発光素子; 窒化物半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 窒化物半導体発光素子 ; 窒化物半導体発光素子 ; 窒化物半導体発光素子 ; 窒化物半導体発光素子 |
| 長濱 慎一; 松下 俊雄; 中村 修二 | |
| 2006-05-12 ; 2006-05-12 ; 2006-05-12 ; 2006-05-12 | |
| 专利权人 | 日亜化学工業株式会社 ; 日亜化学工業株式会社 ; 日亜化学工業株式会社 ; 日亜化学工業株式会社 |
| 公开日期 | 2006-07-26 ; 2006-07-26 ; 2006-07-26 ; 2006-07-26 |
| 授权国家 | 日本 ; 日本 ; 日本 ; 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 ; 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 高出力、長寿命なレーザを実現すると共に信頼性に優れた発光素子を提供する。 【構成】 窒化物半導体からなる基板上部に、n側クラッド層を有し、そのn側クラッド層上部に、多重量子井戸構造を有する活性層を備えた窒化物半導体発光素子において、前記基板と前記n側クラッド層との間にインジウムを含む窒化物半導体層を含む中間層が、そのn側クラッド層と離間して形成されていることにより、窒化物半導体基板の劈開性が良くなり、歩留まりが向上する。; 【目的】 高出力、長寿命なレーザを実現すると共に信頼性に優れた発光素子を提供する。 【構成】 窒化物半導体からなる基板上部に、n側クラッド層を有し、そのn側クラッド層上部に、多重量子井戸構造を有する活性層を備えた窒化物半導体発光素子において、前記基板と前記n側クラッド層との間にインジウムを含む窒化物半導体層を含む中間層が、そのn側クラッド層と離間して形成されていることにより、窒化物半導体基板の劈開性が良くなり、歩留まりが向上する。; 【目的】 高出力、長寿命なレーザを実現すると共に信頼性に優れた発光素子を提供する。 【構成】 窒化物半導体からなる基板上部に、n側クラッド層を有し、そのn側クラッド層上部に、多重量子井戸構造を有する活性層を備えた窒化物半導体発光素子において、前記基板と前記n側クラッド層との間にインジウムを含む窒化物半導体層を含む中間層が、そのn側クラッド層と離間して形成されていることにより、窒化物半導体基板の劈開性が良くなり、歩留まりが向上する。; 【目的】 高出力、長寿命なレーザを実現すると共に信頼性に優れた発光素子を提供する。 【構成】 窒化物半導体からなる基板上部に、n側クラッド層を有し、そのn側クラッド層上部に、多重量子井戸構造を有する活性層を備えた窒化物半導体発光素子において、前記基板と前記n側クラッド層との間にインジウムを含む窒化物半導体層を含む中間層が、そのn側クラッド層と離間して形成されていることにより、窒化物半導体基板の劈開性が良くなり、歩留まりが向上する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供高可靠性的发光元件，可以实现高输出和长寿命的激光。解决方案：在n侧包覆层5上方形成氮化物半导体发光元件，该氮化物半导体发光元件具有在由氮化物半导体构成的基板上方的n侧包覆层5和具有多量子阱结构的有源层7，中间层在基板和n侧包覆层5之间与n侧包覆层5分开地形成含有含铟氮化物半导体层的图3所示的结果。结果，可以提高氮化物半导体衬底的可切割性，并且可以提高其产量也可以改进。; 要解决的问题：提供高可靠性的发光元件，可以实现高输出和长寿命的激光。解决方案：在n侧包覆层5上方形成氮化物半导体发光元件，该氮化物半导体发光元件具有在由氮化物半导体构成的基板上方的n侧包覆层5和具有多量子阱结构的有源层7，中间层在基板和n侧包覆层5之间与n侧包覆层5分开地形成含有含铟氮化物半导体层的图3所示的结果。结果，可以提高氮化物半导体衬底的可切割性，并且可以提高其产量也可以改进。; 要解决的问题：提供高可靠性的发光元件，可以实现高输出和长寿命的激光。解决方案：在n侧包覆层5上方形成氮化物半导体发光元件，该氮化物半导体发光元件具有在由氮化物半导体构成的基板上方的n侧包覆层5和具有多量子阱结构的有源层7，中间层在基板和n侧包覆层5之间与n侧包覆层5分开地形成含有含铟氮化物半导体层的图3所示的结果。结果，可以提高氮化物半导体衬底的可切割性，并且可以提高其产量也可以改进。; 要解决的问题：提供高可靠性的发光元件，可以实现高输出和长寿命的激光。解决方案：在n侧包覆层5上方形成氮化物半导体发光元件，该氮化物半导体发光元件具有在由氮化物半导体构成的基板上方的n侧包覆层5和具有多量子阱结构的有源层7，中间层在基板和n侧包覆层5之间与n侧包覆层5分开地形成含有含铟氮化物半导体层的图3所示的结果。结果，可以提高氮化物半导体衬底的可切割性，并且可以提高其产量也可以改进。 |
| 授权日期 | 2006-05-12 ; 2006-05-12 ; 2006-05-12 ; 2006-05-12 |
| 申请日期 | 1998-05-21 ; 1998-05-21 ; 1998-05-21 ; 1998-05-21 |
| 专利号 | JP3801353B2 ; JP3801353B2 ; JP3801353B2 ; JP3801353B2 |
| 专利状态 | 失效 ; 失效 ; 失效 ; 失效 |
| 申请号 | JP1998139495 ; JP1998139495 ; JP1998139495 ; JP1998139495 |
| 公开（公告）号 | JP3801353B2 ; JP3801353B2 ; JP3801353B2 ; JP3801353B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01L33/00 | H01L33/06 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01S5/343 ; H01S5/323 | H01L33/00 | H01L33/06 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01S5/343 ; H01S5/323 | H01L33/00 | H01L33/06 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01S5/343 ; H01S5/323 | H01L33/00 | H01L33/06 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | - ; - ; - ; - |
| 代理机构 | - ; - ; - ; - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41783 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長濱 慎一,松下 俊雄,中村 修二. 窒化物半導体発光素子, 窒化物半導体発光素子, 窒化物半導体発光素子, 窒化物半導体発光素子. JP3801353B2, JP3801353B2, JP3801353B2, JP3801353B2[P]. 2006-05-12, 2006-05-12, 2006-05-12, 2006-05-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3801353B2.PDF（55KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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