Forming indium nitride (InN) and indium gallium nitride (InGaN) quantum dots grown by metal-organic-vapor-phase-epitaxy (MOCVD)

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	Forming indium nitride (InN) and indium gallium nitride (InGaN) quantum dots grown by metal-organic-vapor-phase-epitaxy (MOCVD)
其他题名	Forming indium nitride (InN) and indium gallium nitride (InGaN) quantum dots grown by metal-organic-vapor-phase-epitaxy (MOCVD)
	CHUA, SOO JIN; LI, PENG; HAO, MAOSHENG; ZHANG, JI
	2003-11-11
专利权人	NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE, THE
公开日期	2003-11-11
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	Indium Nitride (InN) and Indium-rich Indium Gallium Nitride (InGaN) quantum dots embedded in single and multiple InxGa1-xN/InyGa1-yN quantum wells (QWs) are formed by using TMIn and/or Triethylindium (TEIn), Ethyldimethylindium (EDMIn) as antisurfactant during MOCVD growth, wherein the photoluminescence wavelength from these dots ranges from 480 nm to 530 nm. Controlled amounts of TMIn and/or other Indium precursors are important in triggering the formation of dislocation-free QDs, as are the subsequent flows of ammonia and TMIn. This method can be readily used for the growth of the active layers of blue and green light emitting diodes (LEDs).
其他摘要	通过使用TMIn和/或三乙基铟（TEIn），乙基二甲基铟（EDMIn）形成嵌入单个和多个InxGa1-xN / InyGa1-yN量子阱（QW）中的氮化铟（InN）和富铟铟氮化镓（InGaN）量子点。）作为MOCVD生长期间的抗表面活性剂，其中来自这些点的光致发光波长范围为480nm至530nm。受控量的TMIn和/或其他铟前体对于触发无位错QD的形成是重要的，氨和TMIn的后续流动也是如此。该方法可以容易地用于蓝色和绿色发光二极管（LED）的有源层的生长。
授权日期	2003-11-11
申请日期	2001-09-27
专利号	US6645885
专利状态	授权
申请号	US09/963616
公开（公告）号	US6645885
IPC 分类号	H01L21/20 \| H01L21/205 \| H01L21/02 \| H01L33/00 \| H01S5/343 \| H01S5/34 \| H01S5/00 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01L21/00
专利代理人	-
代理机构	BIRCH,STEWART,KOLASCH & BIRCH,LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41778
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE, THE
推荐引用方式 GB/T 7714	CHUA, SOO JIN,LI, PENG,HAO, MAOSHENG,et al. Forming indium nitride (InN) and indium gallium nitride (InGaN) quantum dots grown by metal-organic-vapor-phase-epitaxy (MOCVD). US6645885[P]. 2003-11-11.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US6645885.PDF（91KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文