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Light emitting device having a finely-patterned reflective contact
其他题名Light emitting device having a finely-patterned reflective contact
LESTER, STEVEN D.
2001-09-18
专利权人LUMILEDS LLC
公开日期2001-09-18
授权国家美国
专利类型授权发明
摘要The invention is an AlInGaN light-emitting device (LED) that includes a p-type contact made of highly-reflective material with closely-spaced openings that increase light extraction efficiency. The minimum dimension of the openings is ¼ of the wavelength of the emitted light and is preferably comparable to the distance current flows laterally in the p-layers of the device. The openings in the metal occupy 20-80% of the top surface of the contact and are finely spaced to achieve transparency and uniform light emission. An optional dielectric encapsulant may be deposited over the p-type contact to improve the contact's adhesion by tacking it down at regular intervals, and to improve light extraction. The surface of the epitaxial layers may be etched in the openings to scatter light in the semiconductor, increasing light extraction. A reflective layer may be applied to the bottom surface of the LED to increase the light extraction efficiency.
其他摘要本发明是一种AlInGaN发光器件(LED),其包括由高反射材料制成的p型接触,其具有提高光提取效率的紧密间隔的开口。开口的最小尺寸是发射光的波长的1/4,并且优选地与在器件的p层中横向流动的电流相当。金属中的开口占据接触的顶表面的20-80%并且被精细地间隔开以实现透明度和均匀的光发射。可选的电介质密封剂可以沉积在p型接触上方,以通过以规则的间隔将其定位以改善接触的粘附性,并改善光提取。外延层的表面可以在开口中蚀刻以散射半导体中的光,增加光提取。可以将反射层施加到LED的底表面以提高光提取效率。
授权日期2001-09-18
申请日期1998-09-11
专利号US6291839
专利状态失效
申请号US09/151554
公开(公告)号US6291839
IPC 分类号H01L33/00 | H01S5/042 | H01S5/183 | H01S5/00 | H01L33/38 | H01L33/46
专利代理人-
代理机构SKJERVEN MORRILL MACPHERSON LLP
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41756
专题半导体激光器专利数据库
作者单位LUMILEDS LLC
推荐引用方式
GB/T 7714
LESTER, STEVEN D.. Light emitting device having a finely-patterned reflective contact. US6291839[P]. 2001-09-18.
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