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DFB半導体レーザ
其他题名DFB半導体レーザ
斎藤 秀穂; 近藤 康洋
1999-01-29
专利权人日本電信電話株式会社
公开日期1999-04-05
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要PURPOSE:To make a coupling coefficient kappa small by a method wherein a first guide layer having a diffraction grating is so formed as to have a low refractive index, a difference in the refractive index between this layer and a clad layer is made small, a second guide layer is provided on the opposite side thereto, a power distribution of light is drawn onto the second guide layer side and the coupling of light with the diffraction grating is made small. CONSTITUTION:An InP clad layer 2 of a band gap width Ec, a second InGaAsP guide layer 3 of the width Eg2, an InGaAsP active layer 4 of Ea, a first InGaAsP guide layer 5 of Eg1 and an InP clad layer 6 of Ec and an InCaAsP contact layer are laminated sequentially on an InP substrate The band gap widths Ea, Eg1, Eg2 and Ec are so set that the relationship of Ea
其他摘要目的：通过一种方法使耦合系数kappa小，其中具有衍射光栅的第一引导层形成为具有低折射率，使该层与包层之间的折射率差异变小，第二引导层设置在其相对侧，光的功率分布被引到第二引导层侧，并且光与衍射光栅的耦合变小。组成：带隙宽度Ec的InP包层2，宽度Eg2的第二InGaAsP引导层3，Ea的InGaAsP有源层4，Eg1的第一InGaAsP引导层5和Ec的InP包层6在InP衬底1上依次层叠InCaAsP接触层。设定带隙宽度Ea，Eg1，Eg2和Ec，使得在它们之间建立Ea
授权日期1999-01-29
申请日期1990-02-02
专利号JP2879083B2
专利状态失效
申请号JP1990024867
公开（公告）号JP2879083B2
IPC 分类号H01S5/0625 | H01S | H01S5/12 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S5/20 | H01S3/18
专利代理人玉蟲 久五郎
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41752
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電信電話株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714		 斎藤 秀穂,近藤 康洋. DFB半導体レーザ. JP2879083B2[P]. 1999-01-29.
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