Structures for light emitting devices with integrated multilayer mirrors

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	Structures for light emitting devices with integrated multilayer mirrors
其他题名	Structures for light emitting devices with integrated multilayer mirrors
	GWO, SHANGJR
	2006-12-19
专利权人	GWO SHANGJR
公开日期	2006-12-19
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A substrate for supporting epitaxial growth of light emitting semiconductor devices having a non-crystalline multilayer reflection controlling stack under a thin layer of single crystal silicon is shown. A III-Nitride or other semiconductor stimulated emission device is grown on the thin layer of silicon.
其他摘要	示出了用于支持在单晶硅薄层下具有非晶多层反射控制叠层的发光半导体器件的外延生长的衬底。在薄硅层上生长III族氮化物或其他半导体激励发射器件。
授权日期	2006-12-19
申请日期	2004-05-11
专利号	US7151284
专利状态	失效
申请号	US10/843518
公开（公告）号	US7151284
IPC 分类号	H01L29/24 \| H01S5/00 \| H01S5/02 \| H01S5/04 \| H01S5/10 \| H01S5/183 \| H01S5/343
专利代理人	-
代理机构	HODGSON, RODNEY T
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41748
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	GWO SHANGJR
推荐引用方式 GB/T 7714	GWO, SHANGJR. Structures for light emitting devices with integrated multilayer mirrors. US7151284[P]. 2006-12-19.