Semiconductor laser device and optical disk unit using the same

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Semiconductor laser device and optical disk unit using the same
其他题名	Semiconductor laser device and optical disk unit using the same
	YAMAMOTO, KEI; OHBAYASHI, KEN
	2010-09-21
专利权人	SHARP KABUSHIKI KAISHA
公开日期	2010-09-21
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	In a semiconductor laser device having an oscillation wavelength larger than 760 nm and smaller than 800 nm, at least a lower clad layer, a lower guide layer, an active region, an upper guide layer and an upper clad layer are supported by a GaAs substrate, the active region having a quantum well structure in which one or more well layers and barrier layers are stacked. The one or more well layers and the barrier layers are formed of any one of InGaP, InGaAsP and GaAsP, and the upper and/or lower guide layer is formed of AlzGa1−zAs (0.20
其他摘要	在振荡波长大于760nm且小于800nm的半导体激光器件中，至少下包层，下引导层，有源区，上引导层和上包层由GaAs衬底支撑。，有源区具有量子阱结构，其中堆叠有一个或多个阱层和势垒层。一个或多个阱层和阻挡层由InGaP，InGaAsP和GaAsP中的任何一种形成，并且上和/或下引导层由AlzGa1-zAs（0.20
授权日期	2010-09-21
申请日期	2003-06-30
专利号	US7801194
专利状态	授权
申请号	US10/608776
公开（公告）号	US7801194
IPC 分类号	H01S5/00 \| G11B7/125 \| G11B11/105 \| H01S5/20 \| H01S5/223 \| H01S5/323 \| H01S5/34 \| H01S5/343
专利代理人	-
代理机构	MORRISON & FOERSTER LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41702
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SHARP KABUSHIKI KAISHA
推荐引用方式 GB/T 7714	YAMAMOTO, KEI,OHBAYASHI, KEN. Semiconductor laser device and optical disk unit using the same. US7801194[P]. 2010-09-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7801194.PDF（313KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文