半導体装置、半導体装置の製造方法、及び窒化ガリウム系半導体の成長方法

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	半導体装置、半導体装置の製造方法、及び窒化ガリウム系半導体の成長方法
其他题名	半導体装置、半導体装置の製造方法、及び窒化ガリウム系半導体の成長方法
	新田康一; 藤本英俊; 石川正行
	1999-04-23
专利权人	株式会社東芝
公开日期	1999-07-19
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】製造工程の短縮された窒化ガリウム系青色発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1の導電型の不純物が添加された第1の窒化ガリウム系半導体層と、実質的に真正な窒化ガリウム系半導体活性層と、前記第1の導電型とは反対の第2の導電型の不純物が添加された第2の窒化ガリウム系半導体層が積層され、前記第1及び第2の窒化ガリウム系半導体層及び前記窒化ガリウム系半導体活性層は、熱CVDで形成された後不活性ガス中で自然放冷される。
其他摘要	要解决的问题：通过自然冷却第一和第二氮化镓半导体层和氮化镓半导体有源层，从而在蓝色发光元件的制造过程中消除对热退火工艺的需要，从而以更高的比率激活添加的杂质在通过热CVD法形成层之后的特定值。解决方案：在真空室中，通过将衬底温度升高到1200℃来形成氮化镓半导体缓冲层101，并且通过将温度降低到1,100度来形成N型接触层102和N型覆层103。。C。然后，通过将温度降低到600-900℃形成有源层104，并通过再次将温度升高到1,100℃来形成P型覆层105和P型接触层106。在形成层106之后，在将腔室中的气体从反应气体变为惰性气体之后，通过将这些层原样放置2-3小时来自然冷却所形成的层。当以这种方式留下各层时，至少7％或更多的添加杂质被活化，并且可以消除在后处理时需要用于活化杂质的热退火工艺。
授权日期	1999-04-23
申请日期	1996-08-30
专利号	JP2919788B2
专利状态	失效
申请号	JP1996230679
公开（公告）号	JP2919788B2
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L33/12 \| H01L33/06 \| H01L33/42 \| H01L33/32 \| H01L21/205 \| H01S5/00 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	三好秀和 (外3名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41689
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社東芝
推荐引用方式 GB/T 7714	新田康一,藤本英俊,石川正行. 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び窒化ガリウム系半導体の成長方法. JP2919788B2[P]. 1999-04-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2919788B2.PDF（42KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文