Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| III-V族化合物半導体成長膜の伝導型制御方法 | |
| 其他题名 | III-V族化合物半導体成長膜の伝導型制御方法 |
| 武部 敏彦; 藤井 元忠; 山本 悌二; 繁田 光浩; 小林 規矩男; 藤本 勲 | |
| 1996-04-16 | |
| 专利权人 | 株式会社エイ·ティ·アール光電波通信研究所 |
| 公开日期 | 1996-06-19 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 1つの不純物を用いて簡単に面内にp-n接合を形成することができるIII-V族化合物半導体成長膜の伝導型制御方法を提供することである。 【構成】 予め基板面に段差を設けたIII-V族化合物半導体(111)A加工基板上に、分子線エピタキシー(MBE)法によりSiドープIII-V族化合物半導体膜を成長させる。SiドープIII-V族化合物半導体膜は、III-V族化合物半導体(111)A加工基板の平坦面上でp型となり、上記段差により形成される斜面上でn型の伝導型となり、1回の成長で平面内にp-n接合が形成される。 |
| 其他摘要 | 目的：提供一种控制可以通过使用一种杂质在表面中简单地形成p-n结的III-V族化合物半导体生长膜的导电类型的方法。结构：在III-V族化合物半导体（111）上生长掺杂有Si的III-V族化合物半导体膜，其中通过分子束外延（MBE）法在衬底上预先设置台阶。该膜在衬底的平坦表面上变成p型，在要通过台阶形成的倾斜表面上变成n型导电类型，并且通过一次生长在该平坦表面中形成p-n结。 |
| 授权日期 | 1996-04-16 |
| 申请日期 | 1991-03-27 |
| 专利号 | JP2509006B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991063113 |
| 公开（公告）号 | JP2509006B2 |
| IPC 分类号 | H01L | H01S | H01L21/203 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 青山 葆 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41677 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社エイ·ティ·アール光電波通信研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 武部 敏彦,藤井 元忠,山本 悌二,等. III-V族化合物半導体成長膜の伝導型制御方法. JP2509006B2[P]. 1996-04-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2509006B2.PDF（34KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [武部 敏彦]的文章 |
| [藤井 元忠]的文章 |
| [山本 悌二]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [武部 敏彦]的文章 |
| [藤井 元忠]的文章 |
| [山本 悌二]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [武部 敏彦]的文章 |
| [藤井 元忠]的文章 |
| [山本 悌二]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论