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光集積型波長可変半導体レーザ装置
其他题名光集積型波長可変半導体レーザ装置
尾内 敏彦; 坂田 肇
2000-05-26
专利权人キヤノン株式会社
公开日期2000-07-31
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要PURPOSE:To enable frequency control, making variable the wavelength of semiconductor oscillation light by feed-controlling a frequency fluctuation signal of laser light from a frequency reference device into a semiconductor laser. CONSTITUTION:This device is driven by a constant power source 9 which injects current into an active region 17 having a grating by way of a bias T14. A phase control region 16 having no grating drives with a constant power source 18. The control of this injection current makes it possible to change the oscillation wavelength of a laser A distribution reflector 3 drives with a constant power source 10. The injection current into this distribution reflector is arranged to detect the frequency fluctuation of laser light by changing the central wavelength and oscillating with change in the oscillation wavelength of the laser 1 (This must be carried out by changing the central current into the phase control region 16). A differential signal of a light receiver 5 detects the frequency fluctuation of the laser The light detected with the light receiver 4 monitors the oscillation wavelength of the laser 1, combining the drive current of the distribution reflector 3 with the detection signal of the light receiver 4. On the other hand, a signal of a light receiver 6 detects power fluctuations in the laser light.
其他摘要目的:为了实现频率控制,通过将来自频率参考设备的激光的频率波动信号馈送到半导体激光器中,使半导体振荡光的波长可变。组成:该装置由恒定电源9驱动,恒定电源9通过偏置T14将电流注入具有光栅的有源区17。没有光栅驱动器的相位控制区域16具有恒定的电源18.对该注入电流的控制使得可以改变激光器1的振荡波长。分配反射器3以恒定电源10驱动。注入电流通过改变中心波长并随着激光器1的振荡波长的变化振荡来检测激光的频率波动(这必须通过改变进入相位控制区域16的中心电流来实现)。光接收器5的差分信号检测激光器1的频率波动。光接收器4检测到的光监视激光器1的振荡波长,将分配反射器3的驱动电流与光的检测信号相结合。另一方面,光接收器6的信号检测激光中的功率波动。
授权日期2000-05-26
申请日期1990-11-16
专利号JP3072123B2
专利状态失效
申请号JP1990312557
公开(公告)号JP3072123B2
IPC 分类号H01S5/068 | H01S | H01S5/0687 | H01S5/00
专利代理人加藤 一男
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41658
专题半导体激光器专利数据库
作者单位キヤノン株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
尾内 敏彦,坂田 肇. 光集積型波長可変半導体レーザ装置. JP3072123B2[P]. 2000-05-26.
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