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基于光电器件的静态随机存取存储单元
其他题名基于光电器件的静态随机存取存储单元
陆颢瓒; 高秦昌; 戴瑞萍; 王德波
2018-12-14
专利权人南京邮电大学
公开日期2018-12-14
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要本实用新型公开了基于光电器件的静态随机存取存储单元,该静态随机存取存储单元的结构主要由发光二极管、光敏二极管、电源、光纤传输线组成;其中,PD1~PD4为光敏二极管,LD1、LD2为激光二极管。利用读/写1/写2三条IO光纤进行数据的读写,并控制存储单元的状态。本实用新型利用二极管进行存储功能,相比于传统的静态随机存取存储,其二极管工艺也具备高集成度的优点,利用光纤作为信号连接线,具有激光读写的高速度、高抗干扰、抗噪声等优点,同时可以兼容新兴的光处理器。
其他摘要本实用新型公开了基于光电器件的静态随机存取存储单元,该静态随机存取存储单元的结构主要由发光二极管、光敏二极管、电源、光纤传输线组成;其中,PD1~PD4为光敏二极管,LD1、LD2为激光二极管。利用读/写1/写2三条IO光纤进行数据的读写,并控制存储单元的状态。本实用新型利用二极管进行存储功能,相比于传统的静态随机存取存储,其二极管工艺也具备高集成度的优点,利用光纤作为信号连接线,具有激光读写的高速度、高抗干扰、抗噪声等优点,同时可以兼容新兴的光处理器。
授权日期2018-12-14
申请日期2018-04-11
专利号CN208240681U
专利状态授权
申请号CN201820505115.X
公开(公告)号CN208240681U
IPC 分类号H01L27/11 | H01L29/423 | H01L21/70
专利代理人王素琴
代理机构南京正联知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41632
专题半导体激光器专利数据库
作者单位南京邮电大学
推荐引用方式
GB/T 7714
陆颢瓒,高秦昌,戴瑞萍,等. 基于光电器件的静态随机存取存储单元. CN208240681U[P]. 2018-12-14.
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