一种半导体激光器叠阵结构

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	一种半导体激光器叠阵结构
其他题名	一种半导体激光器叠阵结构
	程东明
	2018-11-27
专利权人	郑州大学
公开日期	2018-11-27
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提供一种半导体激光器叠阵结构，包括半导体激光列阵模块和水槽模块，水槽模块内设置完全隔离的第一水槽和第二水槽，第一水槽和第二水槽的一端分别连接外部冷水源的进水口和出水口，与进水口相连的水槽槽体上开有流入孔，与出水口相连的水槽槽体上开有流出孔，流入孔和流出孔一一对应；半导体激光列阵模块的P电极中心设置一个U型通道，U型通道的两个通道口分别与槽体上设置的流入空和流出孔相连接。本发明将已封装好的半导体激光器列阵模块集成起来，实现半导体激光器的高密度封装，实现大功率激光输出；利用大通道实现同时对每个半导体激光器列阵模块的冷却，使整个叠阵结构实现大功率激光输出，保证激光器叠阵的高可靠性稳定工作。
其他摘要	本发明提供一种半导体激光器叠阵结构，包括半导体激光列阵模块和水槽模块，水槽模块内设置完全隔离的第一水槽和第二水槽，第一水槽和第二水槽的一端分别连接外部冷水源的进水口和出水口，与进水口相连的水槽槽体上开有流入孔，与出水口相连的水槽槽体上开有流出孔，流入孔和流出孔一一对应；半导体激光列阵模块的P电极中心设置一个U型通道，U型通道的两个通道口分别与槽体上设置的流入空和流出孔相连接。本发明将已封装好的半导体激光器列阵模块集成起来，实现半导体激光器的高密度封装，实现大功率激光输出；利用大通道实现同时对每个半导体激光器列阵模块的冷却，使整个叠阵结构实现大功率激光输出，保证激光器叠阵的高可靠性稳定工作。
授权日期	2018-11-27
申请日期	2015-06-19
专利号	CN105322432B
专利状态	授权
申请号	CN201510342912.1
公开（公告）号	CN105322432B
IPC 分类号	H01S5/024 \| H01S5/40
专利代理人	霍彦伟 \| 李想
代理机构	郑州中原专利事务所有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41552
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	郑州大学
推荐引用方式 GB/T 7714	程东明. 一种半导体激光器叠阵结构. CN105322432B[P]. 2018-11-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105322432B.PDF（314KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文