Resonant cavity strained Group III-V photodetector and LED on silicon substrate and method to fabricate same

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	Resonant cavity strained Group III-V photodetector and LED on silicon substrate and method to fabricate same
其他题名	Resonant cavity strained Group III-V photodetector and LED on silicon substrate and method to fabricate same
	CHENG, CHENG-WEI; LEOBANDUNG, EFFENDI; LI, NING; SADANA, DEVENDRA K.; SHIU, KUEN-TING
	2018-11-20
专利权人	INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
公开日期	2018-11-20
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A structure includes an optoelectronic device having a Group IV substrate (e.g., Si); a buffer layer (e.g. SiGe) disposed on the substrate and a first distributed Bragg reflector (DBR) disposed on the buffer layer. The first DBR contains alternating layers of doped Group IV materials (e.g., alternating layers of SiyGe(1-y), where 0.8
其他摘要	一种结构包括具有IV族衬底（例如Si）的光电子器件;设置在基板上的缓冲层（例如SiGe）和设置在缓冲层上的第一分布式布拉格反射器（DBR）。第一DBR包含掺杂的IV族材料的交替层（例如，Si y Ge （1-y）的交替层，其中0.8＆＃x3c; y＆＃x3c;其中，Si z Ge （1-z），其中0.2＆＃x3c; z＆＃x3c; 0.4）对目标波长基本上是透明的。该结构还包括在第一DBR上的III-V族材料的应变层和在应变层上的第二DBR。第二DBR包含交替的导电氧化物层（例如，ITO / AZO），其对感兴趣的波长基本上是透明的。 VCSEL和光电探测器的实施例可以从该结构导出。 III-V族材料的应变层可以是例如In 0.53 Ga 0.47 As的薄层，其厚度在约2nm至约5nm的范围内。 5纳米。
授权日期	2018-11-20
申请日期	2018-03-27
专利号	US10135226
专利状态	授权
申请号	US15/936910
公开（公告）号	US10135226
IPC 分类号	H01L33/10 \| H01S5/187 \| H01S5/343 \| H01L33/00 \| H01L31/18 \| H01S5/183 \| H01L31/0232 \| H01L31/0304 \| H01L33/30 \| H01L33/12 \| H01L31/105
专利代理人	PERCELLO, LOUIS J.
代理机构	HARRINGTON & SMITH
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41515
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	CHENG, CHENG-WEI,LEOBANDUNG, EFFENDI,LI, NING,et al. Resonant cavity strained Group III-V photodetector and LED on silicon substrate and method to fabricate same. US10135226[P]. 2018-11-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US10135226.PDF（811KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文