OPT OpenIR  > 半导体激光器专利数据库
一种双MCU控制的脉冲式半导体激光器驱动电源
其他题名一种双MCU控制的脉冲式半导体激光器驱动电源
张成彦; 马彩芳; 张田甜
2018-11-16
专利权人北京特一安电源科技有限公司
公开日期2018-11-16
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要一种双MCU控制的脉冲式半导体激光器驱动电源,涉及半导体激光器驱动电源技术领域。由于脉冲式半导体激光器驱动电源需要内置TTL高频脉冲发生电路,而这一功能通常是由单片机控制电路在完成其它控制功能的基础上来实现,这样就存在一个缺点:单片机在随机执行其它控制指令时要占用一定的时间,这就会导致TTL高频脉冲发生电路的频率及脉宽的精度降低。本实用新型是在通用的脉冲式半导体激光器驱动电源的基础上,增加了单片机控制电路1。所述单片机控制电路1只实现TTL高频脉冲发生电路,不受其它控制功能(或指令)的影响,保证了电源内部TTL高频脉冲的频率及脉宽的精度,也就保证了电源输出的脉冲电流的频率及脉宽的控制精度。
其他摘要一种双MCU控制的脉冲式半导体激光器驱动电源,涉及半导体激光器驱动电源技术领域。由于脉冲式半导体激光器驱动电源需要内置TTL高频脉冲发生电路,而这一功能通常是由单片机控制电路在完成其它控制功能的基础上来实现,这样就存在一个缺点:单片机在随机执行其它控制指令时要占用一定的时间,这就会导致TTL高频脉冲发生电路的频率及脉宽的精度降低。本实用新型是在通用的脉冲式半导体激光器驱动电源的基础上,增加了单片机控制电路1。所述单片机控制电路1只实现TTL高频脉冲发生电路,不受其它控制功能(或指令)的影响,保证了电源内部TTL高频脉冲的频率及脉宽的精度,也就保证了电源输出的脉冲电流的频率及脉宽的控制精度。
授权日期2018-11-16
申请日期2018-05-17
专利号CN208111914U
专利状态授权
申请号CN201820730927
公开(公告)号CN208111914U
IPC 分类号H01S5/042
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41504
专题半导体激光器专利数据库
作者单位北京特一安电源科技有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
张成彦,马彩芳,张田甜. 一种双MCU控制的脉冲式半导体激光器驱动电源. CN208111914U[P]. 2018-11-16.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN208111914U.PDF(310KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[张成彦]的文章
[马彩芳]的文章
[张田甜]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[张成彦]的文章
[马彩芳]的文章
[张田甜]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[张成彦]的文章
[马彩芳]的文章
[张田甜]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。