硅基光波导芯片与垂直腔面发射激光器的封装结构

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	硅基光波导芯片与垂直腔面发射激光器的封装结构
其他题名	硅基光波导芯片与垂直腔面发射激光器的封装结构
	刘露露; 阮子良; 张浩; 温雪沁; 朱运涛; 刘柳; 陈伟
	2018-11-06
专利权人	苏州易缆微光电技术有限公司
公开日期	2018-11-06
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型公开了一种硅基光波导芯片与垂直腔面发射激光器的封装结构，在绝缘体上硅芯片上制作硅波导结构以及具有倾斜光栅耦合器；再在芯片上沉积一层二氧化硅绝缘层，之后在绝缘层上依次制作金属导线图形和金锡焊点图形。金属导线图形和金锡焊点图形与光栅耦合器的相对位置需要精确控制。最后采用倒装焊接的方式，将垂直腔面发射激光器与硅基光栅耦合器进行对准封装。该结构可以有效的实现激光器与硅基光波导的耦合，实现硅基光源。倾斜光栅耦合器可以有效降低传统光栅耦合器的二阶反射，提高耦合效率，且具有较大的工作波长带宽。该结构大大降低了硅基光源的制作封装难度，可以广泛应用于基于硅基光子集成芯片的光模块中。
其他摘要	本实用新型公开了一种硅基光波导芯片与垂直腔面发射激光器的封装结构，在绝缘体上硅芯片上制作硅波导结构以及具有倾斜光栅耦合器；再在芯片上沉积一层二氧化硅绝缘层，之后在绝缘层上依次制作金属导线图形和金锡焊点图形。金属导线图形和金锡焊点图形与光栅耦合器的相对位置需要精确控制。最后采用倒装焊接的方式，将垂直腔面发射激光器与硅基光栅耦合器进行对准封装。该结构可以有效的实现激光器与硅基光波导的耦合，实现硅基光源。倾斜光栅耦合器可以有效降低传统光栅耦合器的二阶反射，提高耦合效率，且具有较大的工作波长带宽。该结构大大降低了硅基光源的制作封装难度，可以广泛应用于基于硅基光子集成芯片的光模块中。
授权日期	2018-11-06
申请日期	2018-02-02
专利号	CN208060764U
专利状态	授权
申请号	CN201820186933.8
公开（公告）号	CN208060764U
IPC 分类号	G02B6/12 \| H01S3/02
专利代理人	滕诣迪
代理机构	常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41455
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州易缆微光电技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	刘露露,阮子良,张浩,等. 硅基光波导芯片与垂直腔面发射激光器的封装结构. CN208060764U[P]. 2018-11-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN208060764U.PDF（455KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文