Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
内置致冷器、温度可控的半导体激光器同轴TO封装结构 | |
其他题名 | 内置致冷器、温度可控的半导体激光器同轴TO封装结构 |
周忠华; 陈留勇 | |
2011-06-29 | |
专利权人 | 武汉华工正源光子技术有限公司 |
公开日期 | 2011-06-29 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 实用新型 |
摘要 | 本实用新型涉及半导体激光器技术领域,具体提供了一种内置致冷器、温度可控的半导体激光器同轴TO封装结构。该同轴TO封装结构内部包括:TO底座、薄膜型热电致冷器,硅热沉块或者导热块,半导体激光器,热敏电阻和背光探测器;薄膜型热电致冷器直接水平贴装于TO底座的底面或者薄膜型热电致冷器垂直于TO底座底面贴装于TO底座上的导热块。本实用新型主要通过将具有热量快速转移作用的薄膜型热电致冷器(TEC)引入到TO封装的半导体激光器底部,实现半导体激光器的温度控制,具有温度可控和可靠性好等特点。 |
其他摘要 | 本实用新型涉及半导体激光器技术领域,具体提供了一种内置致冷器、温度可控的半导体激光器同轴TO封装结构。该同轴TO封装结构内部包括:TO底座、薄膜型热电致冷器,硅热沉块或者导热块,半导体激光器,热敏电阻和背光探测器;薄膜型热电致冷器直接水平贴装于TO底座的底面或者薄膜型热电致冷器垂直于TO底座底面贴装于TO底座上的导热块。本实用新型主要通过将具有热量快速转移作用的薄膜型热电致冷器(TEC)引入到TO封装的半导体激光器底部,实现半导体激光器的温度控制,具有温度可控和可靠性好等特点。 |
授权日期 | 2011-06-29 |
申请日期 | 2010-10-15 |
专利号 | CN201887327U |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201020562872.4 |
公开(公告)号 | CN201887327U |
IPC 分类号 | H01S5/022 | H01S5/024 |
专利代理人 | 张瑾 |
代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41443 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 武汉华工正源光子技术有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 周忠华,陈留勇. 内置致冷器、温度可控的半导体激光器同轴TO封装结构. CN201887327U[P]. 2011-06-29. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN201887327U.PDF(329KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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