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内置致冷器、温度可控的半导体激光器同轴TO封装结构
其他题名内置致冷器、温度可控的半导体激光器同轴TO封装结构
周忠华; 陈留勇
2011-06-29
专利权人武汉华工正源光子技术有限公司
公开日期2011-06-29
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要本实用新型涉及半导体激光器技术领域,具体提供了一种内置致冷器、温度可控的半导体激光器同轴TO封装结构。该同轴TO封装结构内部包括:TO底座、薄膜型热电致冷器,硅热沉块或者导热块,半导体激光器,热敏电阻和背光探测器;薄膜型热电致冷器直接水平贴装于TO底座的底面或者薄膜型热电致冷器垂直于TO底座底面贴装于TO底座上的导热块。本实用新型主要通过将具有热量快速转移作用的薄膜型热电致冷器(TEC)引入到TO封装的半导体激光器底部,实现半导体激光器的温度控制,具有温度可控和可靠性好等特点。
其他摘要本实用新型涉及半导体激光器技术领域,具体提供了一种内置致冷器、温度可控的半导体激光器同轴TO封装结构。该同轴TO封装结构内部包括:TO底座、薄膜型热电致冷器,硅热沉块或者导热块,半导体激光器,热敏电阻和背光探测器;薄膜型热电致冷器直接水平贴装于TO底座的底面或者薄膜型热电致冷器垂直于TO底座底面贴装于TO底座上的导热块。本实用新型主要通过将具有热量快速转移作用的薄膜型热电致冷器(TEC)引入到TO封装的半导体激光器底部,实现半导体激光器的温度控制,具有温度可控和可靠性好等特点。
授权日期2011-06-29
申请日期2010-10-15
专利号CN201887327U
专利状态授权
申请号CN201020562872.4
公开(公告)号CN201887327U
IPC 分类号H01S5/022 | H01S5/024
专利代理人张瑾
代理机构北京汇泽知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41443
专题半导体激光器专利数据库
作者单位武汉华工正源光子技术有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
周忠华,陈留勇. 内置致冷器、温度可控的半导体激光器同轴TO封装结构. CN201887327U[P]. 2011-06-29.
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