Method for accurate growth of vertical-cavity surface-emitting lasers

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	Method for accurate growth of vertical-cavity surface-emitting lasers
其他题名	Method for accurate growth of vertical-cavity surface-emitting lasers
	CHALMERS, SCOTT A.; KILLEEN, KEVIN P.; LEAR, KEVIN L.
	1995-03-14
专利权人	SANDIA CORPORATION
公开日期	1995-03-14
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	We report a method for accurate growth of vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs). The method uses a single reflectivity spectrum measurement to determine the structure of the partially completed VCSEL at a critical point of growth. This information, along with the extracted growth rates, allows imprecisions in growth parameters to be compensated for during growth of the remaining structure, which can then be completed with very accurate critical dimensions. Using this method, we can now routinely grow lasing VCSELs with Fabry-Perot cavity resonance wavelengths controlled to within 0.5%.
其他摘要	我们报告了一种精确生长垂直腔面发射激光器（VCSEL）的方法。该方法使用单个反射率光谱测量来确定在关键生长点处部分完成的VCSEL的结构。该信息以及提取的生长速率允许在剩余结构的生长期间补偿生长参数的不精确性，然后可以以非常精确的临界尺寸完成。使用这种方法，我们现在可以常规地生长激光VCSEL，其法布里 - 珀罗腔共振波长控制在0.5％以内。
授权日期	1995-03-14
申请日期	1993-07-26
专利号	US5397739
专利状态	失效
申请号	US08/099035
公开（公告）号	US5397739
IPC 分类号	H01L21/66 \| H01S5/00 \| H01S5/183 \| H01L21/20
专利代理人	-
代理机构	CONE, GREGORY A.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41439
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SANDIA CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	CHALMERS, SCOTT A.,KILLEEN, KEVIN P.,LEAR, KEVIN L.. Method for accurate growth of vertical-cavity surface-emitting lasers. US5397739[P]. 1995-03-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US5397739.PDF（149KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文