Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种制作GaAs基半导体激光器非吸收窗口的方法 | |
| 其他题名 | 一种制作GaAs基半导体激光器非吸收窗口的方法 |
| 周路; 王云华; 薄报学; 高欣; 乔忠良; 贾宝山; 白端元 | |
| 2018-11-02 | |
| 专利权人 | 长春理工大学 |
| 公开日期 | 2018-11-02 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种制作GaAs基半导体激光器非吸收窗口的方法，属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知技术难以大幅度提高器件抗COD能力，同时使工艺难度和成本控制在较低水平。本发明基于量子阱混杂原理，制作了激光器非吸收窗口，整个过程中只采用一次光刻，结合电子束蒸发和常规湿法腐蚀工艺，同时完成激光器条形结构刻蚀、选择性SiO2/TiO2薄膜蒸镀以及电绝缘层的制备。本发明适用于GaAs基半导体激光器，制作工艺简单，并能显著提高半导体激光器的输出功率。 |
| 其他摘要 | 一种制作GaAs基半导体激光器非吸收窗口的方法，属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知技术难以大幅度提高器件抗COD能力，同时使工艺难度和成本控制在较低水平。本发明基于量子阱混杂原理，制作了激光器非吸收窗口，整个过程中只采用一次光刻，结合电子束蒸发和常规湿法腐蚀工艺，同时完成激光器条形结构刻蚀、选择性SiO2/TiO2薄膜蒸镀以及电绝缘层的制备。本发明适用于GaAs基半导体激光器，制作工艺简单，并能显著提高半导体激光器的输出功率。 |
| 授权日期 | 2018-11-02 |
| 申请日期 | 2012-10-10 |
| 专利号 | CN102916338B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201210380871 |
| 公开（公告）号 | CN102916338B |
| IPC 分类号 | H01S5/028 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41436 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周路,王云华,薄报学,等. 一种制作GaAs基半导体激光器非吸收窗口的方法. CN102916338B[P]. 2018-11-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102916338B.PDF（321KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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