一种基于水平腔面发射激光二极管技术的Micro LD的装置

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	一种基于水平腔面发射激光二极管技术的Micro LD的装置
其他题名	一种基于水平腔面发射激光二极管技术的Micro LD的装置
	孙雷
	2018-10-12
专利权人	北京德瑞工贸有限公司
公开日期	2018-10-12
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型公开了一种基于水平腔面发射激光二极管技术的Micro LD的装置，通过计算机控制MOS集成电路(有源矩阵)，MOS集成电路能分别控制微小的激光二极管阵列中的每一个水平腔面发射激光二极管开关和强弱，最终形成图像。Micro LD与Micro LED相比具有单位面积上更大的光强、更好的方向性与更好的相干性，在工业领域和显示领域有更广阔的应用前景。
其他摘要	本实用新型公开了一种基于水平腔面发射激光二极管技术的Micro LD的装置，通过计算机控制MOS集成电路(有源矩阵)，MOS集成电路能分别控制微小的激光二极管阵列中的每一个水平腔面发射激光二极管开关和强弱，最终形成图像。Micro LD与Micro LED相比具有单位面积上更大的光强、更好的方向性与更好的相干性，在工业领域和显示领域有更广阔的应用前景。
授权日期	2018-10-12
申请日期	2017-12-29
专利号	CN207966352U
专利状态	授权
申请号	CN201721926436
公开（公告）号	CN207966352U
IPC 分类号	G09F9/33
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41356
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京德瑞工贸有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	孙雷. 一种基于水平腔面发射激光二极管技术的Micro LD的装置. CN207966352U[P]. 2018-10-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN207966352U.PDF（435KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文