一种半导体激光器静电失效分析方法

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	一种半导体激光器静电失效分析方法
其他题名	一种半导体激光器静电失效分析方法
	庞艺; 赵柏秦
	2018-08-10
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2018-08-10
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种半导体激光器失效分析方法，该方法包括以下步骤：对半导体激光器从低电压到高电压逐级进行ESD测试，通过比较半导体激光器ESD测试前后的光电特性曲线判断该半导体激光器是否失效，并确定其失效等级；使用高倍光学显微镜对失效半导体激光器各部位进行外观失效检查，采集并存储异常部位的图像；借助SEM观察所述半导体激光器出光面的损伤细节，采集并储存相应的图像；对所述半导体激光器的有源层损伤情况进行测试。半导体器件十分容易受到静电放电作用而失效，本发明对找到其失效机理进而对器件进行改进，可以准确定位其失效部位，得到失效机理，最终达到改进器件提高性能的目的。
其他摘要	本发明公开了一种半导体激光器失效分析方法，该方法包括以下步骤：对半导体激光器从低电压到高电压逐级进行ESD测试，通过比较半导体激光器ESD测试前后的光电特性曲线判断该半导体激光器是否失效，并确定其失效等级；使用高倍光学显微镜对失效半导体激光器各部位进行外观失效检查，采集并存储异常部位的图像；借助SEM观察所述半导体激光器出光面的损伤细节，采集并储存相应的图像；对所述半导体激光器的有源层损伤情况进行测试。半导体器件十分容易受到静电放电作用而失效，本发明对找到其失效机理进而对器件进行改进，可以准确定位其失效部位，得到失效机理，最终达到改进器件提高性能的目的。
授权日期	2018-08-10
申请日期	2015-12-25
专利号	CN105425136B
专利状态	授权
申请号	CN201510996194.X
公开（公告）号	CN105425136B
IPC 分类号	G01R31/26 \| G01N21/956
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41164
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	庞艺,赵柏秦. 一种半导体激光器静电失效分析方法. CN105425136B[P]. 2018-08-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105425136B.PDF（330KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文