Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光装置和光盘装置 | |
| 其他题名 | 半导体激光装置和光盘装置 |
| 蛭川秀一; 河西秀典; 岸本克彦 | |
| 2006-12-13 | |
| 专利权人 | 夏普株式会社 |
| 公开日期 | 2006-12-13 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开一种半导体激光装置和光盘装置，该激光装置具有大于760nm且小于800nm的振荡波长，在n型GaAs基板(101)上，顺次叠置n型第一和第二下包层(103，104)、下引导层(106)、应变InGaAsP多量子阱有源层(107)、上引导层(109)和p型上包层(110)。因为下引导层(106)由InGaP形成，所以减少了载流子从有源层中的泄漏。另外，因为上引导层(109)由AlGaAs形成，所以抑制了载流子(尤其是电子)的溢出。 |
| 其他摘要 | 本发明公开一种半导体激光装置和光盘装置，该激光装置具有大于760nm且小于800nm的振荡波长，在n型GaAs基板(101)上，顺次叠置n型第一和第二下包层(103，104)、下引导层(106)、应变InGaAsP多量子阱有源层(107)、上引导层(109)和p型上包层(110)。因为下引导层(106)由InGaP形成，所以减少了载流子从有源层中的泄漏。另外，因为上引导层(109)由AlGaAs形成，所以抑制了载流子(尤其是电子)的溢出。 |
| 授权日期 | 2006-12-13 |
| 申请日期 | 2004-03-25 |
| 专利号 | CN1290239C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200410031581 |
| 公开（公告）号 | CN1290239C |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/323 | H01S5/00 | H01S5/22 | H01S5/223 | H01S5/32 | H01S5/34 |
| 专利代理人 | 陶凤波 | 侯宇 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41109 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蛭川秀一,河西秀典,岸本克彦. 半导体激光装置和光盘装置. CN1290239C[P]. 2006-12-13. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1290239C.PDF（812KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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