一种小尺寸半导体激光器及其制备方法

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	一种小尺寸半导体激光器及其制备方法
其他题名	一种小尺寸半导体激光器及其制备方法
	刘欢; 沈燕; 徐现刚; 王英
	2018-07-06
专利权人	山东华光光电子股份有限公司
公开日期	2018-07-06
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提供一种小尺寸半导体激光器，所述半导体激光器的周期尺寸≤150μm。所述半导体激光器是纯条结构或带肩结构。一种上述小尺寸半导体激光器的制备方法，包括步骤如下：在半导体激光器芯片上制备欧姆接触层，经光刻、刻蚀制备周期尺寸≤150μm的管芯图形；对所述制备完欧姆接触层芯片的P面进行保护；对芯片的衬底进行减薄；将半导体激光器芯片清洗后放入蒸发台：蒸镀P面电极，P电极蒸镀完毕后翻架蒸镀N面电极。本发明将图形周期由200μm缩减为150μm，产出约为原来的3倍。本发明制备工艺步骤简单，节省生产所用原材料和人工工时；同时减少P面划伤、污染等问题，提升了P面质量。
其他摘要	本发明提供一种小尺寸半导体激光器，所述半导体激光器的周期尺寸≤150μm。所述半导体激光器是纯条结构或带肩结构。一种上述小尺寸半导体激光器的制备方法，包括步骤如下：在半导体激光器芯片上制备欧姆接触层，经光刻、刻蚀制备周期尺寸≤150μm的管芯图形；对所述制备完欧姆接触层芯片的P面进行保护；对芯片的衬底进行减薄；将半导体激光器芯片清洗后放入蒸发台：蒸镀P面电极，P电极蒸镀完毕后翻架蒸镀N面电极。本发明将图形周期由200μm缩减为150μm，产出约为原来的3倍。本发明制备工艺步骤简单，节省生产所用原材料和人工工时；同时减少P面划伤、污染等问题，提升了P面质量。
授权日期	2018-07-06
申请日期	2013-09-22
专利号	CN104466676B
专利状态	授权
申请号	CN201310432868.4
公开（公告）号	CN104466676B
IPC 分类号	H01S5/223 \| H01S5/042
专利代理人	吕利敏
代理机构	济南金迪知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41026
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	刘欢,沈燕,徐现刚,等. 一种小尺寸半导体激光器及其制备方法. CN104466676B[P]. 2018-07-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104466676B.PDF（446KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文