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基于VCSEL激光二极管的封装基座结构
其他题名基于VCSEL激光二极管的封装基座结构
何兵; 罗玉辉
2018-05-25
专利权人深亮智能技术(中山)有限公司
公开日期2018-05-25
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要本实用新型公开一种基于VCSEL激光二极管的封装基座结构,利用VCSEL激光二极管共金焊接至氮化铝基板后再次共金焊接于紫铜镀金支架上,最后盖窗口片进行密封。本实用新型采用二次热电分离,隔绝了氮化铝基板太薄引起的芯片漏电现象;消除封装过程中引脚用胶沾不牢固现象,更容易加工。由于VCSEL激光芯片容易沾灰尘后损坏,为提高VCSEL激光芯片的可靠性特别加了窗口片经高透过率的硅胶的密封,从而使封装后的VCSEL激光二极管更可靠。
其他摘要本实用新型公开一种基于VCSEL激光二极管的封装基座结构,利用VCSEL激光二极管共金焊接至氮化铝基板后再次共金焊接于紫铜镀金支架上,最后盖窗口片进行密封。本实用新型采用二次热电分离,隔绝了氮化铝基板太薄引起的芯片漏电现象;消除封装过程中引脚用胶沾不牢固现象,更容易加工。由于VCSEL激光芯片容易沾灰尘后损坏,为提高VCSEL激光芯片的可靠性特别加了窗口片经高透过率的硅胶的密封,从而使封装后的VCSEL激光二极管更可靠。
授权日期2018-05-25
申请日期2017-09-21
专利号CN207409795U
专利状态授权
申请号CN201721216259
公开(公告)号CN207409795U
IPC 分类号H01S5/022
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40882
专题半导体激光器专利数据库
作者单位深亮智能技术(中山)有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
何兵,罗玉辉. 基于VCSEL激光二极管的封装基座结构. CN207409795U[P]. 2018-05-25.
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CN207409795U.PDF(321KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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