Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种GaAs基HBT垂直腔面发射激光器 | |
| 其他题名 | 一种GaAs基HBT垂直腔面发射激光器 |
| 王智勇; 高鹏坤; 王青; 郑建华 | |
| 2018-05-08 | |
| 专利权人 | 北京工业大学 |
| 公开日期 | 2018-05-08 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种GaAs基HBT垂直腔面发射激光器，该激光器由GaAs基HBT和VCSEL两部分组成，所述GaAs基HBT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的第一GaAs缓冲层、GaAs集电区、第一GaAs非掺杂间隔层、GaAs P+型掺杂基区、第二GaAs非掺杂间隔层、In0.49Ga0.51P发射区、第一GaAs帽层构成；所述VCSEL由在腐蚀截止层InGaP上依次分子束外延生长的第二GaAs缓冲层、34.5对λ0/4光学厚度的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As N型下分布布拉格反射镜层、Al0.2Ga0.8As/GaAs有源层、3对λ0/4光学厚度的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As P型分布布拉格反射镜层、Al0.98Ga0.02As氧化限制层、25对λ0/4光学厚度的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As P型上分布布拉格反射镜层、第二GaAs帽层。 |
| 其他摘要 | 一种GaAs基HBT垂直腔面发射激光器，该激光器由GaAs基HBT和VCSEL两部分组成，所述GaAs基HBT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的第一GaAs缓冲层、GaAs集电区、第一GaAs非掺杂间隔层、GaAs P+型掺杂基区、第二GaAs非掺杂间隔层、In0.49Ga0.51P发射区、第一GaAs帽层构成；所述VCSEL由在腐蚀截止层InGaP上依次分子束外延生长的第二GaAs缓冲层、34.5对λ0/4光学厚度的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As N型下分布布拉格反射镜层、Al0.2Ga0.8As/GaAs有源层、3对λ0/4光学厚度的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As P型分布布拉格反射镜层、Al0.98Ga0.02As氧化限制层、25对λ0/4光学厚度的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As P型上分布布拉格反射镜层、第二GaAs帽层。 |
| 授权日期 | 2018-05-08 |
| 申请日期 | 2015-03-11 |
| 专利号 | CN104752952B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201510106790.6 |
| 公开（公告）号 | CN104752952B |
| IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/026 |
| 专利代理人 | 沈波 |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40798 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王智勇,高鹏坤,王青,等. 一种GaAs基HBT垂直腔面发射激光器. CN104752952B[P]. 2018-05-08. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN104752952B.PDF（132KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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