薄膜的结晶化方法、薄膜半导体装置的制造方法、电子设备的制造方法及显示装置的制造方法

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	薄膜的结晶化方法、薄膜半导体装置的制造方法、电子设备的制造方法及显示装置的制造方法
其他题名	薄膜的结晶化方法、薄膜半导体装置的制造方法、电子设备的制造方法及显示装置的制造方法
	梅津畅彦; 月原浩一; 松延刚; 稻垣敬夫; 田附幸一; 堀田慎; 白井克弥
	2011-10-26
专利权人	索尼株式会社
公开日期	2011-10-26
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	在基板(1)上形成栅极绝缘膜(13)以覆盖栅极电极(11)，并且形成非晶硅膜(半导体薄膜)(15)。光吸收层(19)通过缓冲层(17)形成在非晶硅膜(15)的上部上。能量照射(Lh)从诸如半导体激光器的连续波振荡激光器施加给光吸收层(19)。根据以上构造，在仅氧化光吸收层(19)的表面侧时，非晶硅膜(15)通过在光吸收层(19)中能量照射(Lh)的热转换产生的热以及氧化反应的产生的热而结晶化以形成微晶硅膜(15a)。根据上述构造，提供了一种薄膜的结晶化方法，该方法可以在具有良好可控性的同时实现较简单的工艺和较低的成本。
其他摘要	在基板(1)上形成栅极绝缘膜(13)以覆盖栅极电极(11)，并且形成非晶硅膜(半导体薄膜)(15)。光吸收层(19)通过缓冲层(17)形成在非晶硅膜(15)的上部上。能量照射(Lh)从诸如半导体激光器的连续波振荡激光器施加给光吸收层(19)。根据以上构造，在仅氧化光吸收层(19)的表面侧时，非晶硅膜(15)通过在光吸收层(19)中能量照射(Lh)的热转换产生的热以及氧化反应的产生的热而结晶化以形成微晶硅膜(15a)。根据上述构造，提供了一种薄膜的结晶化方法，该方法可以在具有良好可控性的同时实现较简单的工艺和较低的成本。
授权日期	2011-10-26
申请日期	2008-04-30
专利号	CN101681815B
专利状态	失效
申请号	CN200880016596.7
公开（公告）号	CN101681815B
IPC 分类号	H01L21/20 \| H01L21/336 \| H01L29/786
专利代理人	彭久云
代理机构	北京市柳沈律师事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40778
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	索尼株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	梅津畅彦,月原浩一,松延刚,等. 薄膜的结晶化方法、薄膜半导体装置的制造方法、电子设备的制造方法及显示装置的制造方法. CN101681815B[P]. 2011-10-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101681815B.PDF（1037KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文