共通基板に設けた単一レーザー要素を備える垂直空洞表面放出型レーザー

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	共通基板に設けた単一レーザー要素を備える垂直空洞表面放出型レーザー
其他题名	共通基板に設けた単一レーザー要素を備える垂直空洞表面放出型レーザー
	エリヤホウカポン; ファブリスモンティディソプラ; マルセルブルネール
	2002-11-29
专利权人	アヴァロンフォトニクス
公开日期	2003-02-10
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】所定の単一横方向発光モードで高出力を有するVCSELデバイスを提供する。【解決手段】 VCSELデバイスは共通基板に設けた複数のVCSEL要素を備え、各VCSEL要素は第1ミラー手段3と第2ミラー手段5を備え、各々所定波長で既定反射率を有するとともに前記波長の光共振器と、前記第1、第2ミラー手段の間に配設されたレーザー活性領域1とを形成する。加えて、VCSELデバイスはVCSEL要素にそれぞれ対応する複数の開口部6を有するグリッド層4と、所定厚を有するコンタクト層2とを備え、前記コンタクト層2は前記各第1ミラー手段5と前記グリッド層4の間に置かれ、前記コンタクト層2の光学的厚さおよび前記グリッド層4の反射率と吸収は、前記グリッド層4に依存するとともにグリッドによって覆われる区域とグリッド開口部6に対応する区域で異なる各第1ミラー手段3の有効反射率を与えるよう選択される。
其他摘要	要解决的问题：在指定的信号横向发光模式下提供高输出的VCSEL器件。解决方案：VCSEL器件具有设置在公共衬底上的多个VCSEL元件，并且每个VCSEL元件包括第一和第二镜子装置3和5，它们中的每一个在规定波长下具有规定的反射率，形成光学谐振器波长以及设置在第一和第二镜子装置之间的激光有源区域1。此外，VCSEL器件包括栅格层4，栅格层4设置有多个对应于VCSEL元件的开口部分6和规定厚度的接触层2，接触层2设置在每个第一镜子装置5之间接触层2的光学厚度以及栅格层4的反射率和吸收取决于栅格层4，同时选择为提供每个第一镜面装置的不同有效反射率。在图3中示出了在栅格覆盖的区域中，以及在与栅格开口部分6对应的区域中。
授权日期	2002-11-29
申请日期	2000-11-22
专利号	JP3375608B2
专利状态	失效
申请号	JP2000356471
公开（公告）号	JP3375608B2
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S \| H01S3/082 \| H01S5/183 \| H01S3/08 \| H01L27/15 \| H01S5/042 \| H01S3/081 \| H01S5/42
专利代理人	山田行一 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40756
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	アヴァロンフォトニクス
推荐引用方式 GB/T 7714	エリヤホウカポン,ファブリスモンティディソプラ,マルセルブルネール. 共通基板に設けた単一レーザー要素を備える垂直空洞表面放出型レーザー. JP3375608B2[P]. 2002-11-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3375608B2.PDF（58KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文