Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种基于波导结构的新型光隔离器 | |
其他题名 | 一种基于波导结构的新型光隔离器 |
李洵; 朱仲书 | |
2018-04-27 | |
专利权人 | 华中科技大学 |
公开日期 | 2018-04-27 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 本发明是一种基于光波导结构的新型光隔离器,其无需采用任何磁光材料,由衬底(1)和位于该衬底(1)之上的两部分波导层构成,其中:第一波导(2)为对波导层上通过第一次刻蚀形成的直波导进行第二次刻蚀时,保护一部分不被刻蚀而形成的有一段凸起的波导;第二波导(3)为二次刻蚀时不作保护而得到的普通直波导。本发明用以实现对某一特定波长的TE或TM偏振光进行隔离的功能,基于波导结构实现,与半导体工艺兼容,易于同其他光电子器件(如半导体激光器等)进行单片集成。本发明不依赖于特定的(例磁光)材料特性,因而可以在任意光波导材料上(例各种III‑V族化合物半导体,硅基半导体,及SiO2等)实现。 |
其他摘要 | 本发明是一种基于光波导结构的新型光隔离器,其无需采用任何磁光材料,由衬底(1)和位于该衬底(1)之上的两部分波导层构成,其中:第一波导(2)为对波导层上通过第一次刻蚀形成的直波导进行第二次刻蚀时,保护一部分不被刻蚀而形成的有一段凸起的波导;第二波导(3)为二次刻蚀时不作保护而得到的普通直波导。本发明用以实现对某一特定波长的TE或TM偏振光进行隔离的功能,基于波导结构实现,与半导体工艺兼容,易于同其他光电子器件(如半导体激光器等)进行单片集成。本发明不依赖于特定的(例磁光)材料特性,因而可以在任意光波导材料上(例各种III‑V族化合物半导体,硅基半导体,及SiO2等)实现。 |
授权日期 | 2018-04-27 |
申请日期 | 2014-10-09 |
专利号 | CN104280823B |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201410532649.8 |
公开(公告)号 | CN104280823B |
IPC 分类号 | G02B6/26 | G02B6/122 |
专利代理人 | 王守仁 |
代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40753 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 华中科技大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李洵,朱仲书. 一种基于波导结构的新型光隔离器. CN104280823B[P]. 2018-04-27. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN104280823B.PDF(229KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[李洵]的文章 |
[朱仲书]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[李洵]的文章 |
[朱仲书]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[李洵]的文章 |
[朱仲书]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论