Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种基于波导结构的新型光隔离器 | |
| 其他题名 | 一种基于波导结构的新型光隔离器 |
| 李洵; 朱仲书 | |
| 2018-04-27 | |
| 专利权人 | 华中科技大学 |
| 公开日期 | 2018-04-27 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明是一种基于光波导结构的新型光隔离器，其无需采用任何磁光材料，由衬底(1)和位于该衬底(1)之上的两部分波导层构成，其中：第一波导(2)为对波导层上通过第一次刻蚀形成的直波导进行第二次刻蚀时，保护一部分不被刻蚀而形成的有一段凸起的波导；第二波导(3)为二次刻蚀时不作保护而得到的普通直波导。本发明用以实现对某一特定波长的TE或TM偏振光进行隔离的功能，基于波导结构实现，与半导体工艺兼容，易于同其他光电子器件(如半导体激光器等)进行单片集成。本发明不依赖于特定的(例磁光)材料特性，因而可以在任意光波导材料上(例各种III‑V族化合物半导体，硅基半导体，及SiO2等)实现。 |
| 其他摘要 | 本发明是一种基于光波导结构的新型光隔离器，其无需采用任何磁光材料，由衬底(1)和位于该衬底(1)之上的两部分波导层构成，其中：第一波导(2)为对波导层上通过第一次刻蚀形成的直波导进行第二次刻蚀时，保护一部分不被刻蚀而形成的有一段凸起的波导；第二波导(3)为二次刻蚀时不作保护而得到的普通直波导。本发明用以实现对某一特定波长的TE或TM偏振光进行隔离的功能，基于波导结构实现，与半导体工艺兼容，易于同其他光电子器件(如半导体激光器等)进行单片集成。本发明不依赖于特定的(例磁光)材料特性，因而可以在任意光波导材料上(例各种III‑V族化合物半导体，硅基半导体，及SiO2等)实现。 |
| 授权日期 | 2018-04-27 |
| 申请日期 | 2014-10-09 |
| 专利号 | CN104280823B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201410532649.8 |
| 公开（公告）号 | CN104280823B |
| IPC 分类号 | G02B6/26 | G02B6/122 |
| 专利代理人 | 王守仁 |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40753 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华中科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李洵,朱仲书. 一种基于波导结构的新型光隔离器. CN104280823B[P]. 2018-04-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN104280823B.PDF（229KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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