Integration of laser with photodiode for feedback control

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	Integration of laser with photodiode for feedback control
其他题名	Integration of laser with photodiode for feedback control
	SWIRHUN, STANLEY E.; QUINN, WILLIAM E.
	1996-11-19
专利权人	VIXEL CORPORATION
公开日期	1996-11-19
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	Photodiodes are integrally formed with vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) and superluminescent light emitting diodes (SLEDs) for monitoring optical radiation intensities. In different embodiments, the photodiode is epitaxially formed within a mirror of a VCSEL, non-epitaxially formed on top of a VCSEL, non-epitaxially formed on side of a VCSEL, or formed on the substrate on the side opposite the VCSEL. A lateral injection vertical cavity surface emitting laser is also disclosed for integration with a lateral PIN photodiode. A photodiode having the same epitaxial layers as a VCSEL is also integrally formed alongside of the VCSEL. Similar devices using SLEDs are also disclosed.
其他摘要	光电二极管与垂直腔表面发射激光器（VCSEL）和超辐射发光二极管（SLED）整体形成，用于监测光辐射强度。在不同的实施例中，光电二极管外延地形成在VCSEL的镜子内，非外延地形成在VCSEL的顶部上，非外延地形成在VCSEL的一侧上，或者形成在与VCSEL相对的一侧的衬底上。还公开了横向注入垂直腔表面发射激光器，用于与横向PIN光电二极管集成。具有与VCSEL相同的外延层的光电二极管也与VCSEL一起整体形成。还公开了使用SLED的类似装置。
授权日期	1996-11-19
申请日期	1995-10-18
专利号	US5577064
专利状态	失效
申请号	US08/544926
公开（公告）号	US5577064
IPC 分类号	H01L25/16 \| H01S5/026 \| H01S5/00 \| H01L33/00 \| H01S5/183 \| H01S5/343 \| H01S5/20 \| H01S5/0683 \| H01S3/18 \| H01L31/12
专利代理人	-
代理机构	IRELL & MANELLA LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40747
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	VIXEL CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	SWIRHUN, STANLEY E.,QUINN, WILLIAM E.. Integration of laser with photodiode for feedback control. US5577064[P]. 1996-11-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US5577064.PDF（367KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文