Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器元件及其制造方法 | |
| 其他题名 | 半导体激光器元件及其制造方法 |
| 古川佳彦; 岛田诚; 木内章喜; 落合真尚; 妹尾雅之 | |
| 2006-05-03 | |
| 专利权人 | 日亚化学工业株式会社 |
| 公开日期 | 2006-05-03 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明的半导体激光器元件，在基板上设置具有被n型层和p型夹着的活性层的半导体层，半导体层具有蚀刻形成的谐振器面和从谐振器面出射方向突出的突出部，其特征在于，从谐振器面到突出部的端面设置保护膜，从谐振器面出射的激光的垂直方向的光放射分布的放射半角比放射临界角大。 |
| 其他摘要 | 本发明的半导体激光器元件，在基板上设置具有被n型层和p型夹着的活性层的半导体层，半导体层具有蚀刻形成的谐振器面和从谐振器面出射方向突出的突出部，其特征在于，从谐振器面到突出部的端面设置保护膜，从谐振器面出射的激光的垂直方向的光放射分布的放射半角比放射临界角大。 |
| 授权日期 | 2006-05-03 |
| 申请日期 | 2002-06-12 |
| 专利号 | CN1254893C |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN02810240.1 |
| 公开（公告）号 | CN1254893C |
| IPC 分类号 | H01S5/02 | H01S5/028 | H01S5/10 |
| 专利代理人 | 汪惠民 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40646 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亚化学工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古川佳彦,岛田诚,木内章喜,等. 半导体激光器元件及其制造方法. CN1254893C[P]. 2006-05-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1254893C.PDF（1757KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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