Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体元件和其制造方法 | |
| 其他题名 | 半导体元件和其制造方法 |
| 畑雅幸; 野村康彦 | |
| 2011-04-20 | |
| 专利权人 | 晶元光电股份有限公司 |
| 公开日期 | 2011-04-20 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明提供半导体元件和其制造方法。即使在半导体元件部在面内方向中包括具有不同的热膨胀系数的多个方向的情况下，也能够抑制元件特性的下降。该半导体激光元件(半导体元件)包括：在主面的面内方向中包括热膨胀系数不同的[1-100]方向和[0001]方向的半导体元件部；以及在主面的面内方向中包括热膨胀系数不同的箭头E方向和箭头F方向的基台。而且，以半导体元件部的[1-100]方向，相比于基台的箭头F方向更靠近箭头E方向一侧的方式，半导体元件部相对于基台被接合。 |
| 其他摘要 | 本发明提供半导体元件和其制造方法。即使在半导体元件部在面内方向中包括具有不同的热膨胀系数的多个方向的情况下，也能够抑制元件特性的下降。该半导体激光元件(半导体元件)包括：在主面的面内方向中包括热膨胀系数不同的[1-100]方向和[0001]方向的半导体元件部；以及在主面的面内方向中包括热膨胀系数不同的箭头E方向和箭头F方向的基台。而且，以半导体元件部的[1-100]方向，相比于基台的箭头F方向更靠近箭头E方向一侧的方式，半导体元件部相对于基台被接合。 |
| 授权日期 | 2011-04-20 |
| 申请日期 | 2007-08-08 |
| 专利号 | CN101501947B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN200780029764.1 |
| 公开（公告）号 | CN101501947B |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01L33/00 | H01S5/022 |
| 专利代理人 | 龙淳 |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40477 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 晶元光电股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 畑雅幸,野村康彦. 半导体元件和其制造方法. CN101501947B[P]. 2011-04-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101501947B.PDF（1822KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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