III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法

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	III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法
其他题名	III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法
	高木慎平; 善积祐介; 片山浩二; 上野昌纪; 池上隆俊
	2013-06-19
专利权人	住友电气工业株式会社
公开日期	2013-06-19
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提供一种III族氮化物半导体激光元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支持基体的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器。激光构造体(13)中，第1面(13a)为第2面(13b)的相反侧的面，第1及第2割断面(27、29)从第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。而且，在例如第1割断面(27)的一端，具有从边缘(13c)延伸至边缘(13d)的刻划痕(SM1)，刻划痕(SM1)等具有从边缘(13c)延伸至边缘(13d)的凹形状。割断面(27、29)并非由干式蚀刻形成，与c面、m面或者a面这些目前为止的裂面不同。可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。
其他摘要	本发明提供一种III族氮化物半导体激光元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支持基体的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器。激光构造体(13)中，第1面(13a)为第2面(13b)的相反侧的面，第1及第2割断面(27、29)从第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。而且，在例如第1割断面(27)的一端，具有从边缘(13c)延伸至边缘(13d)的刻划痕(SM1)，刻划痕(SM1)等具有从边缘(13c)延伸至边缘(13d)的凹形状。割断面(27、29)并非由干式蚀刻形成，与c面、m面或者a面这些目前为止的裂面不同。可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。
授权日期	2013-06-19
申请日期	2010-11-16
专利号	CN102341977B
专利状态	失效
申请号	CN201080010475.9
公开（公告）号	CN102341977B
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	谢丽娜 \| 关兆辉
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40438
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	住友电气工业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	高木慎平,善积祐介,片山浩二,等. III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法. CN102341977B[P]. 2013-06-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102341977B.PDF（2408KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文