Current confinement via defect generator and hetero-interface interaction

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	Current confinement via defect generator and hetero-interface interaction
其他题名	Current confinement via defect generator and hetero-interface interaction
	HUANG, JENN-HWA; TEHRANI, SAIED N.
	1998-11-03
专利权人	FINISAR CORPORATION
公开日期	1998-11-03
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A semiconductor device including a plurality of layers of material defining a diffusion barrier. A defect generator positioned on the plurality of layers in overlying relationship to the diffusion barrier so as to produce a collection of defects at the diffusion barrier that operates as a current restriction. In a typical example, an ohmic contact is positioned around the mesa of a ridge VCSEL, which ohmic contact generates defects that accumulate at a hetero-interface near the active area and confine the current flow to a lasing volume of the VCSEL.
其他摘要	一种半导体器件，包括限定扩散阻挡层的多层材料。缺陷发生器以与扩散阻挡层重叠的关系定位在多个层上，以便在扩散阻挡层处产生缺陷集合，其作为电流限制。在典型示例中，欧姆接触位于脊VCSEL的台面周围，该欧姆接触产生在有源区附近的异质界面处累积的缺陷并将电流限制到VCSEL的激光体积。
授权日期	1998-11-03
申请日期	1995-12-01
专利号	US5831295
专利状态	失效
申请号	US08/566388
公开（公告）号	US5831295
IPC 分类号	H01L23/62 \| H01L23/58 \| H01L31/0328 \| H01L31/0336 \| H01L23/48
专利代理人	-
代理机构	PARSONS, EUGENE A.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40402
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FINISAR CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	HUANG, JENN-HWA,TEHRANI, SAIED N.. Current confinement via defect generator and hetero-interface interaction. US5831295[P]. 1998-11-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US5831295.PDF（296KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文