Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种近红外VCSEL激光器的外延结构 | |
| 其他题名 | 一种近红外VCSEL激光器的外延结构 |
| 张永 | |
| 2018-01-09 | |
| 专利权人 | 全磊光电股份有限公司 |
| 公开日期 | 2018-01-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型提供一种近红外VCSEL激光器的外延结构，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次沉积有GaAs?缓冲层、N型掺杂的DBR、有源层、氧化限制层、P型掺杂的DBR和欧姆接触层，所述有源层由下向上依次包括限制层，波导层、量子阱、对称波导层和对称限制层，所述量子阱由多组量子阱层组成，相邻两组量子阱层之间设有厚垒层，所述厚垒层的厚度为大于50nm。该近红外VCSEL激光器的外延结构通过在有源区量子阱中插入多层厚垒层来减小载流子的泄漏损失，提高有源区载流子的复合几率，提高有源区的微分增益，从而提高VCSEL激光器的辐射功率，同时增加了有源区光子的限制因子，提高了VCSEL激光器的响应速率。 |
| 其他摘要 | 本实用新型提供一种近红外VCSEL激光器的外延结构，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次沉积有GaAs?缓冲层、N型掺杂的DBR、有源层、氧化限制层、P型掺杂的DBR和欧姆接触层，所述有源层由下向上依次包括限制层，波导层、量子阱、对称波导层和对称限制层，所述量子阱由多组量子阱层组成，相邻两组量子阱层之间设有厚垒层，所述厚垒层的厚度为大于50nm。该近红外VCSEL激光器的外延结构通过在有源区量子阱中插入多层厚垒层来减小载流子的泄漏损失，提高有源区载流子的复合几率，提高有源区的微分增益，从而提高VCSEL激光器的辐射功率，同时增加了有源区光子的限制因子，提高了VCSEL激光器的响应速率。 |
| 授权日期 | 2018-01-09 |
| 申请日期 | 2017-06-30 |
| 专利号 | CN206864867U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201720776833.6 |
| 公开（公告）号 | CN206864867U |
| IPC 分类号 | H01S5/34 | H01S5/183 | H01S5/32 |
| 专利代理人 | 刘计成 |
| 代理机构 | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40331 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 全磊光电股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张永. 一种近红外VCSEL激光器的外延结构. CN206864867U[P]. 2018-01-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN206864867U.PDF（618KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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