Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种压电调制垂直腔半导体激光器结构 | |
| 其他题名 | 一种压电调制垂直腔半导体激光器结构 |
| 王智勇; 吕朝蕙; 李军; 尧舜; 邱运涛; 贾冠男; 高祥宇; 雷宇鑫 | |
| 2018-01-09 | |
| 专利权人 | 北京工业大学 |
| 公开日期 | 2018-01-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明提供一种压电调制垂直腔半导体激光器结构，其包括：单晶片衬底(1)、缓冲层(2)、n型DBR反射镜(3)、载流子下限制层(4)、增益区(5)、载流子上限制层(6)、光电限制层(7)、p型DBR反射镜(8)、欧姆电极接触层(9)、第一透明电极(10)、两个第二金层(11)、SiO2增透膜(12)、两个SiN绝缘层(13)、第二透明电极(14)、两个第三金层(15)、第一金层(16)。其在加电工作时利用SiO2增透膜的压电特性使垂直腔半导体激光器的腔发生不同程度的形变，从而实现对垂直腔半导体激光器输出功率的压电调制。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种压电调制垂直腔半导体激光器结构，其包括：单晶片衬底(1)、缓冲层(2)、n型DBR反射镜(3)、载流子下限制层(4)、增益区(5)、载流子上限制层(6)、光电限制层(7)、p型DBR反射镜(8)、欧姆电极接触层(9)、第一透明电极(10)、两个第二金层(11)、SiO2增透膜(12)、两个SiN绝缘层(13)、第二透明电极(14)、两个第三金层(15)、第一金层(16)。其在加电工作时利用SiO2增透膜的压电特性使垂直腔半导体激光器的腔发生不同程度的形变，从而实现对垂直腔半导体激光器输出功率的压电调制。 |
| 授权日期 | 2018-01-09 |
| 申请日期 | 2014-12-11 |
| 专利号 | CN104377545B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201410759292.7 |
| 公开（公告）号 | CN104377545B |
| IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/06 | H01S5/10 |
| 专利代理人 | 戴凤仪 |
| 代理机构 | 北京汇信合知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40323 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王智勇,吕朝蕙,李军,等. 一种压电调制垂直腔半导体激光器结构. CN104377545B[P]. 2018-01-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN104377545B.PDF（316KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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