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High power single mode vertical cavity surface emitting laser
其他题名High power single mode vertical cavity surface emitting laser
DENG, HONGYU; LENOSKY, THOMAS; GIARETTA, GIORGIO; LIPSON, JAN
2007-08-07
专利权人FINISAR CORPORATION
公开日期2007-08-07
授权国家美国
专利类型授权发明
摘要A single mode high power vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) using photonic crystals. A photonic crystal is included in at least one mirror layer of a VCSEL. The reflectivity of the photonic crystal is dependent on the wavelength and incident angle of the photons. The photonic crystal can be formed such that the VCSEL lases at a single mode. Because a single mode is generated, the aperture of the VCSEL can be enlarged to increase the power that is generated by the VCSEL for that mode. The photonic crystal can be used with or without DBR layers. The photonic crystal, in one example, forms an external cavity.
其他摘要采用光子晶体的单模高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)。光子晶体包括在VCSEL的至少一个镜层中。光子晶体的反射率取决于光子的波长和入射角。可以形成光子晶体,使得VCSEL以单一模式发光。由于生成单模,因此可以扩大VCSEL的孔径,以增加VCSEL为该模式产生的功率。光子晶体可以与DBR层一起使用或不与DBR层一起使用。在一个示例中,光子晶体形成外腔。
授权日期2007-08-07
申请日期2004-02-03
专利号US7254155
专利状态授权
申请号US10/771192
公开(公告)号US7254155
IPC 分类号H01S3/082 | H01S5/10 | H01S5/183
专利代理人-
代理机构WORKMAN NYDEGGER
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40309
专题半导体激光器专利数据库
作者单位FINISAR CORPORATION
推荐引用方式
GB/T 7714
DENG, HONGYU,LENOSKY, THOMAS,GIARETTA, GIORGIO,et al. High power single mode vertical cavity surface emitting laser. US7254155[P]. 2007-08-07.
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