Efficient semiconductor light-emitting device and method

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	Efficient semiconductor light-emitting device and method
其他题名	Efficient semiconductor light-emitting device and method
	CHOQUETTE, KENT D.; LEAR, KEVIN L.; SCHNEIDER, JR., RICHARD P.
	1996-02-20
专利权人	SANDIA CORPORATION
公开日期	1996-02-20
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A semiconductor light-emitting device and method. The semiconductor light-emitting device is provided with at least one control layer or control region which includes an annular oxidized portion thereof to channel an injection current into the active region, and to provide a lateral refractive index profile for index guiding the light generated within the device. A periodic composition grading of at least one of the mirror stacks in the device provides a reduced operating voltage of the device. The semiconductor light-emitting device has a high efficiency for light generation, and may be formed either as a resonant-cavity light-emitting diode (RCLED) or as a vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL).
其他摘要	半导体发光器件和方法。该半导体发光器件具有至少一个控制层或控制区，该控制层或控制区包括其环形氧化部分，以将注入电流引导到有源区中，并提供横向折射率分布，用于引导在该有源区内产生的光。设备。装置中的至少一个镜堆的周期性组成分级提供了装置的降低的操作电压。半导体发光器件具有高的光产生效率，并且可以形成为谐振腔发光二极管（RCLED）或垂直腔表面发射激光器（VCSEL）。
授权日期	1996-02-20
申请日期	1994-12-21
专利号	US5493577
专利状态	失效
申请号	US08/361252
公开（公告）号	US5493577
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01S5/00 \| H01S5/183 \| H01S5/22 \| H01L33/10 \| H01L33/14 \| H01S3/085
专利代理人	-
代理机构	HOHIMER, JOHN P. CONE, GREGORY A.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40169
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SANDIA CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	CHOQUETTE, KENT D.,LEAR, KEVIN L.,SCHNEIDER, JR., RICHARD P.. Efficient semiconductor light-emitting device and method. US5493577[P]. 1996-02-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US5493577.PDF（440KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文