Fabrication method for horizontal direction semiconductor PN junction array

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Fabrication method for horizontal direction semiconductor PN junction array
其他题名	Fabrication method for horizontal direction semiconductor PN junction array
	MIN, SUK-KI; KIM, SEONG-IL; KIM, EUN KYU
	1999-03-16
专利权人	KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
公开日期	1999-03-16
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A fabrication method for a horizontal direction semiconductor PN junction array which can be achieved when an epitaxial layer is grown by a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD method) by introducing (or doping) a small amount of CCl4 or CBr4 gas, includes forming a recess on an N type GaAs substrate by using a non-planar growth, performing a growth method of a P type epitaxial layer on the N type GaAs substrate by a metalorganic chemical vapor deposition method, and forming a horizontal direction PN junction array of P-GaAs/N-GaAs or P-AlGaAs/N-GaAs by introducing a gas comprising CCl4 or CBr4 .
其他摘要	一种水平方向半导体PN结阵列的制造方法，其可以通过引入（或掺杂）少量CCl4或CBr4气体通过金属有机化学气相沉积（MOCVD方法）生长外延层来实现，包括形成凹陷通过非平面生长在N型GaAs衬底上，通过金属有机化学气相沉积方法在N型GaAs衬底上执行P型外延层的生长方法，并形成P-GaAs的水平方向PN结阵列通过引入包含CCl 4或CBr 4的气体/ N-GaAs或P-AlGaAs / N-GaAs。
授权日期	1999-03-16
申请日期	1996-12-27
专利号	US5882950
专利状态	失效
申请号	US08/773185
公开（公告）号	US5882950
IPC 分类号	H01L21/20 \| H01L21/02 \| H01L21/205 \| H01L31/0352 \| H01L31/04 \| H01L31/10 \| H01L33/16 \| H01L33/30 \| H01L21/00 \| H01L21/36 \| H01L21/425
专利代理人	-
代理机构	DARBY&DARBY
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40117
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
推荐引用方式 GB/T 7714	MIN, SUK-KI,KIM, SEONG-IL,KIM, EUN KYU. Fabrication method for horizontal direction semiconductor PN junction array. US5882950[P]. 1999-03-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US5882950.PDF（104KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文