HALBLEITERDIODENANORDNUNG

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	HALBLEITERDIODENANORDNUNG
其他题名	HALBLEITERDIODENANORDNUNG
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	1976-09-23
专利权人	TELEFUNKEN PATENTVERWERTUNGSGESELLSCHAFT MBH
公开日期	1976-09-23
授权国家	德国
专利类型	授权发明
摘要	1,228,989. Electroluminescence. TELEFUNKEN PATENTVERWERTUNGS G.m.b.H. 26 July, 1968 [26 July, 1967], No. 35901/68. Heading C4S. [Also in Division H1] A semi-conductor diode arrangement comprises a number of laser diodes or luminescence diodes on an insulating carrier body 1 with each PN junction 5 perpendicular to the carrier body. Fibre light waveguides carry light to or from the diodes. The diodes 2 are of Group III/V material, such as gallium arsenide or gallium phosphide, doped with zinc and tellurium, and the carrier 1 is of high resistivity gallium arsenide or sapphire. Opposite surfaces of each laser diode are provided with reflecting layers 6, 7 to form a Fabry-Perot resonator. These layers may be formed of alternate calcium fluoride and glass layers, each component layer having a thickness of one quarter of the laser beam wavelength, and they may be applied both directly to the diode body or so that one is on the diode body farthest from the carrier and the other on the other side of the carrier from the diode so that the carrier forms part of the resonator. If the PN junction of a diode is arranged to lie in the correct crystal lattice plane the diode surfaces themselves will act as resonator layers. Input to the diode is via contacts 9, 10 or, for higher frequencies, in the form of a line.
其他摘要	1228989。电致发光。TELEFUNKEN PATENTVERWERTUNGS G.m.b.H. 1968年7月26日[1967年7月26日]，第35901/68号。标题为C4S。[也在分支H1]半导体二极管装置包括在绝缘载体1上的多个激光二极管或发光二极管，每个PN结5垂直于载体。光纤光波导将光传送到二极管或从二极管传送光。二极管2是III / V族材料，例如砷化镓或磷化镓，掺杂有锌和碲，载体1是高电阻率的砷化镓或蓝宝石。每个激光二极管的相对表面设有反射层6,7，以形成法布里 - 珀罗谐振器。这些层可以由交替的氟化钙和玻璃层形成，每个组件层的厚度为激光束波长的四分之一，并且它们可以直接施加到二极管体上或者使得一个在二极管体上最远离二极管体。载体和另一侧在载体的另一侧上由二极管构成，使得载体形成谐振器的一部分。如果二极管的PN结布置在正确的晶格平面中，则二极管表面本身将充当谐振器层。二极管的输入通过触点9,10，或者对于更高的频率，以线的形式。
授权日期	1976-09-23
申请日期	1967-07-26
专利号	DE1614846B2
专利状态	失效
申请号	DET0034412
公开（公告）号	DE1614846B2
IPC 分类号	G02B6/42 \| H01L21/00 \| H01L23/485 \| H01L25/075 \| H01L25/13 \| H01L27/00 \| H01L29/00 \| H01L33/00 \| H01S3/23 \| H01S5/028 \| H01S5/10 \| H01S5/30 \| H01S5/32 \| H01S5/42 \| H01S3/19 \| H01L27/14 \| H01L27/15 \| H01S3/05
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40089
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	TELEFUNKEN PATENTVERWERTUNGSGESELLSCHAFT MBH
推荐引用方式 GB/T 7714	-. HALBLEITERDIODENANORDNUNG. DE1614846B2[P]. 1976-09-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
DE1614846B2.PDF（469KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文